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1. (WO2019026393) 固体撮像装置及び電子機器
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国際公開番号: WO/2019/026393 国際出願番号: PCT/JP2018/019617
国際公開日: 07.02.2019 国際出願日: 22.05.2018
IPC:
H01L 27/146 (2006.01) ,H04N 5/369 (2011.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14
赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144
輻射線によって制御される装置
146
固体撮像装置構造
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
30
光または類似信号から電気信号への変換
335
固体撮像素子を用いるもの
369
固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
出願人:
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
発明者:
西藤 洋将 SAITO, Hiromasa; JP
島田 翔平 SHIMADA, Shohei; JP
代理人:
亀谷 美明 KAMEYA, Yoshiaki; JP
金本 哲男 KANEMOTO, Tetsuo; JP
萩原 康司 HAGIWARA, Yasushi; JP
松本 一騎 MATSUMOTO, Kazunori; JP
優先権情報:
2017-15050603.08.2017JP
発明の名称: (EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND ELECTRONIC MACHINE
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR ET MACHINE ÉLECTRONIQUE
(JA) 固体撮像装置及び電子機器
要約:
(EN) [Problem] To provide a solid-state imaging device and an electronic machine wherein the effects of dark current have been reduced. [Solution] This solid-state imaging device comprises: a plurality of first pixel units arranged into a matrix form, each having one pixel and one on-chip lens provided above the one pixel; at least one second pixel unit disposed within the first pixel unit matrix, having two pixels and one on-chip lens provided so as to straddle over the two pixels; a pixel separation layer separating from one another the photoelectric conversion layers respectively belonging to the pixels from the first pixel units and the second pixel units; and at least one contact provided below the pixel separation layer present within the respective regions of the second pixel units or adjacent to the regions, connecting the pixel separation layer to a reference electric potential wiring. The second pixel units are disposed with a predetermined interval therebetween in at least one column extending in a first direction of the first pixel unit matrix.
(FR) Le problème décrit par la présente invention est de fournir un dispositif d'imagerie à semi-conducteur et une machine électronique dans lesquels les effets du courant d'obscurité ont été réduits. La solution selon l'invention porte sur un dispositif d'imagerie à semi-conducteur qui comprend : une pluralité de premières unités de pixels agencées en une forme de matrice, ayant chacune un pixel et une lentille sur puce disposée au-dessus du pixel; au moins une seconde unité de pixel disposée à l'intérieur de la première matrice d'unités de pixels, ayant deux pixels et une lentille sur puce disposée de façon à chevaucher les deux pixels; une couche de séparation de pixels séparant les unes des autres les couches de conversion photoélectrique appartenant respectivement aux pixels provenant des premières unités de pixels et des secondes unités de pixels; et au moins un contact disposé au-dessous de la couche de séparation de pixels présent dans les régions respectives des secondes unités de pixels ou adjacents aux régions, connectant la couche de séparation de pixels à un câblage de potentiel électrique de référence. Les secondes unités de pixels sont disposées avec un intervalle prédéterminé entre celles-ci dans au moins une colonne s'étendant dans une première direction de la première matrice d'unité de pixel.
(JA) 【課題】暗電流による影響が低減された固体撮像装置及び電子機器を提供する。 【解決手段】1つの画素及び前記1つの画素上に設けられた1つのオンチップレンズを有し、マトリクス状に配列された複数の第1画素ユニットと、2つの画素及び前記2つの画素上に跨って設けられた1つのオンチップレンズを有し、前記第1画素ユニットのマトリクス内に配置された少なくとも1つ以上の第2画素ユニットと、前記第1画素ユニット及び前記第2画素ユニットの各々の画素が備える光電変換層をそれぞれ離隔する画素分離層と、前記第2画素ユニットの各々の領域内に存在する又は該領域と隣接する前記画素分離層の下に設けられ、前記画素分離層と基準電位配線とを接続する少なくとも1つ以上のコンタクトと、を備え、前記第2画素ユニットは、前記第1画素ユニットのマトリクスの第1方向に延伸する少なくとも1列にて、所定の間隔で配置される、固体撮像装置。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)