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1. (WO2019026337) 電力変換装置、電力変換用半導体素子モジュール及び電力変換方法
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国際公開番号: WO/2019/026337 国際出願番号: PCT/JP2018/012492
国際公開日: 07.02.2019 国際出願日: 27.03.2018
IPC:
H02M 7/48 (2007.01)
H 電気
02
電力の発電,変換,配電
M
交流-交流,交流-直流または直流-直流変換装置,および主要な,または類似の電力供給システムと共に使用するための装置:直流または交流入力-サージ出力変換;そのための制御または調整
7
交流入力一直流出力変換;直流入力―交流出力変換
42
直流入力―交流出力変換であって非可逆的なもの
44
静止型変換器によるもの
48
制御電極をもつ放電管または制御電極をもつ半導体装置を用いるもの
出願人:
株式会社日立製作所 HITACHI, LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内一丁目6番6号 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280, JP
発明者:
塚本 乾 TSUKAMOTO, Ken; JP
漆原 法美 URUSHIWARA, Noriyoshi; JP
河野 恭彦 KOUNO, Yasuhiko; JP
堀内 敬介 HORIUCHI, Keisuke; JP
代理人:
特許業務法人サンネクスト国際特許事務所 SUNNEXT INTERNATIONAL PATENT OFFICE; 東京都品川区東品川二丁目3番12号 シーフォ-トスクエア センタ-ビルディング16階 Seafort Square Center Building, 16F, 2-3-12, Higashishinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo 1400002, JP
優先権情報:
2017-15114703.08.2017JP
発明の名称: (EN) POWER CONVERSION DEVICE, POWER CONVERSION SEMICONDUCTOR ELEMENT MODULE, AND POWER CONVERSION METHOD
(FR) DISPOSITIF DE CONVERSION DE COURANT, MODULE D'ÉLÉMENT À SEMI-CONDUCTEURS DE CONVERSION DE COURANT, ET PROCÉDÉ DE CONVERSION DE COURANT
(JA) 電力変換装置、電力変換用半導体素子モジュール及び電力変換方法
要約:
(EN) Provided is a power conversion device provided with: semiconductor switching elements on the P-side and N-side for each performing switching control in accordance with a mode of energizing a P-terminal and an N-terminal; diodes each connected in parallel with each of the semiconductor switching elements on the P-side and N-side; a smoothing capacitor connected in parallel with the combination of each of the semiconductor switching elements on the P-side and each of the semiconductor switching elements on the N-side connected in series; and a package housing the respective semiconductor switching elements on the P-side and N-side, each of the diodes, and the smoothing capacitor.
(FR) La présente invention concerne un dispositif de conversion de courant comprenant : des éléments de commutation à semi-conducteurs sur le côté P et le côté N pour chaque commande de commutation en fonction d'un mode d'excitation d'une borne P et d'une borne N ; des diodes connectées chacune en parallèle avec chacun des éléments de commutation à semi-conducteurs sur le côté P et le côté N ; un condensateur de lissage connecté en parallèle à la combinaison de chacun des éléments de commutation à semi-conducteurs sur le côté P et chacun des éléments de commutation à semi-conducteurs sur le côté N connectés en série ; et un boîtier recevant les éléments de commutation à semi-conducteurs respectifs sur le côté P et le côté N, chacune des diodes et le condensateur de lissage.
(JA) P端子及びN端子への通電態様に応じてスイッチング制御を行うP側及びN側各半導体スイッチング素子と、これらP側及びN側各半導体スイッチング素子に対してそれぞれ並列に接続された各ダイオードと、直列に接続された前記P側各半導体スイッチング素子及びN側各半導体スイッチング素子の組み合わせに対して並列に接続された平滑コンデンサと、P側及びN側各半導体スイッチング素子、各ダイオード及び平滑コンデンサを内蔵するパッケージと、を備える。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)