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1. (WO2019026267) 半導体装置の製造方法および積層シート
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国際公開番号: WO/2019/026267 国際出願番号: PCT/JP2017/028335
国際公開日: 07.02.2019 国際出願日: 04.08.2017
IPC:
H01L 21/56 (2006.01) ,H01L 23/12 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
50
サブグループ21/06~21/326の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立
56
封緘,例.封緘層,被覆
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
12
マウント,例.分離できない絶縁基板
出願人:
リンテック株式会社 LINTEC CORPORATION [JP/JP]; 東京都板橋区本町23番23号 23-23, Honcho, Itabashi-ku, Tokyo 1730001, JP
発明者:
根津 裕介 NEZU Yusuke; JP
渡邉 康貴 WATANABE Yasutaka; JP
杉野 貴志 SUGINO Takashi; JP
代理人:
早川 裕司 HAYAKAWA Yuzi; JP
村雨 圭介 MURASAME Keisuke; JP
飯田 理啓 IIDA Michihiro; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) PRODUCTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND LAMINATE SHEET
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET FEUILLE STRATIFIÉE
(JA) 半導体装置の製造方法および積層シート
要約:
(EN) A production method for a semiconductor device. The production method includes: an electronic component mounting step for mounting an electronic component 2 on an laminate sheet 1 that comprises an adhesive sheet 12 and a curable first resin composition layer 11; a lamination step for laminating a sealing sheet that comprises a curable second resin composition layer 3; a curing step for obtaining a sealed body 4 that comprises a first cured layer 11' that is formed by curing the first resin composition layer 11, a second cured layer 3' that is formed by curing the second resin composition layer 3, and the electronic component 2 as sealed by the first cured layer 11' and the second cured layer 3', the adhesive sheet 12 having been removed; a hole formation step for forming a hole 5; a desmearing step for desmearing the sealed body 4; and an electrode formation step for forming an electrode 6. The production method for a semiconductor device makes it possible to highly integrate and highly functionalize a semiconductor device and can be applied to efficient, high-yield methods.
(FR) L'invention concerne un procédé de production d'un dispositif à semi-conducteur. Le procédé de production comprend : une étape de montage de composant électronique pour monter un composant électronique 2 sur une feuille stratifiée 1 qui comprend une feuille adhésive 12 et une première couche de composition de résine durcissable 11; une étape de stratification pour stratifier une feuille d'étanchéité qui comprend une seconde couche de composition de résine durcissable 3; une étape de durcissement pour obtenir un corps scellé 4 qui comprend une première couche durcie 11' qui est formée par durcissement de la première couche de composition de résine 11, une seconde couche durcie 3' qui est formée par durcissement de la seconde couche de composition de résine 3, et le composant électronique 2 tel que scellé par la première couche durcie 11' et la seconde couche durcie 3 ', la feuille adhésive 12 ayant été retirée; une étape de formation de trou pour former un trou 5; une étape de détachage pour détacher le corps scellé 4; et une étape de formation d'électrode pour former une électrode 6. Le procédé de production d'un dispositif à semi-conducteur permet d'intégrer et de fonctionnaliser très fortement un dispositif à semi-conducteur et peut être appliqué à des procédés efficaces et à haut rendement.
(JA) 粘着シート12と硬化性の第1の樹脂組成物層11とを備える積層シート1上に電子部品2を載置する電子部品載置工程、硬化性の第2の樹脂組成物層3を備える封止シートを積層する積層工程、第1の樹脂組成物層11が硬化してなる第1の硬化層11'と、第2の樹脂組成物層3が硬化してなる第2の硬化層3'と、第1の硬化層11'および第2の硬化層3'により封止された電子部品2とを備えるとともに、粘着シート12が剥離されてなる封止体4を得る硬化工程、孔5を形成する孔形成工程、封止体4をデスミア処理するデスミア工程、および電極6を形成する電極形成工程を含む半導体装置の製造方法。かかる半導体装置の製造方法は、半導体装置の高集積化および高機能化を可能とするとともに、効率的で歩留まり高い方法にも適用できる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)