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1. (WO2019026266) 半導体装置の製造方法
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国際公開番号: WO/2019/026266 国際出願番号: PCT/JP2017/028334
国際公開日: 07.02.2019 国際出願日: 04.08.2017
IPC:
H01L 21/56 (2006.01) ,H01L 23/12 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
50
サブグループ21/06~21/326の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立
56
封緘,例.封緘層,被覆
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
12
マウント,例.分離できない絶縁基板
出願人:
リンテック株式会社 LINTEC CORPORATION [JP/JP]; 東京都板橋区本町23番23号 23-23, Honcho, Itabashi-ku, Tokyo 1730001, JP
発明者:
根津 裕介 NEZU Yusuke; JP
渡邉 康貴 WATANABE Yasutaka; JP
杉野 貴志 SUGINO Takashi; JP
代理人:
早川 裕司 HAYAKAWA Yuzi; JP
村雨 圭介 MURASAME Keisuke; JP
飯田 理啓 IIDA Michihiro; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) PRODUCTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法
要約:
(EN) A production method for a semiconductor device. The production method includes: an electronic component mounting step for mounting an electronic component 2 on an adhesive sheet 1; a first lamination step for laminating a first sealing sheet that comprises a curable first resin composition layer 3; a removal step for removing the adhesive sheet 1; a second lamination step for laminating a second sealing sheet that comprises a curable second resin composition layer 4; a curing step for obtaining a sealed body 5 that comprises a first cured layer 3' that is formed by curing the first resin composition layer 3, a second cured layer 4' that is formed by curing the second resin composition layer 4, and the electronic component 2 as sealed by the first cured layer 3' and the second cured layer 4'; a hole formation step for forming a hole 6; a desmearing step for desmearing the sealed body 5; and an electrode formation step for forming an electrode 7. The production method for a semiconductor device makes it possible to highly integrate and highly functionalize a semiconductor device and can be applied to efficient, high-yield methods.
(FR) L'invention concerne un procédé de production d'un dispositif à semi-conducteur. Le procédé de production comprend : une étape de montage de composant électronique pour monter un composant électronique 2 sur une feuille adhésive 1; une première étape de stratification pour stratifier une première feuille d'étanchéité qui comprend une première couche de composition de résine durcissable 3; une étape de retrait pour retirer la feuille adhésive 1; une seconde étape de stratification pour stratifier une seconde feuille d'étanchéité qui comprend une seconde couche de composition de résine durcissable 4; une étape de durcissement pour obtenir un corps scellé 5 qui comprend une première couche durcie 3' qui est formée par durcissement de la première couche de composition de résine 3, une seconde couche durcie 4' qui est formée par durcissement de la seconde couche de composition de résine 4, et le composant électronique 2 étant scellé par la première couche durcie 3' et la seconde couche durcie 4 '; une étape de formation de trou pour former un trou 6; une étape de détachage pour détacher le corps scellé 5; et une étape de formation d'électrode pour former une électrode 7 Le procédé de production d'un dispositif à semi-conducteur permet d'intégrer et de fonctionnaliser très fortement un dispositif à semi-conducteur et peut être appliqué à des procédés efficaces et à haut rendement.
(JA) 粘着シート1上に電子部品2を載置する電子部品載置工程、硬化性の第1の樹脂組成物層3を備える第1の封止シートを積層する第1積層工程、粘着シート1を剥離する剥離工程、硬化性の第2の樹脂組成物層4を備える第2の封止シートを積層する第2積層工程、第1の樹脂組成物層3が硬化してなる第1の硬化層3'と、第2の樹脂組成物層4が硬化してなる第2の硬化層4'と、第1の硬化層3'および第2の硬化層4'により封止された電子部品2とを備える封止体5を得る硬化工程、孔6を形成する孔形成工程、封止体5をデスミア処理するデスミア工程、および電極7を形成する電極形成工程を含む半導体装置の製造方法。かかる半導体装置の製造方法は、半導体装置の高集積化および高機能化を可能とするとともに、効率的で歩留まり高い方法にも適用できる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)