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1. (WO2019026213) ソフトエラー検査方法、ソフトエラー検査装置及びソフトエラー検査システム
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国際公開番号: WO/2019/026213 国際出願番号: PCT/JP2017/028111
国際公開日: 07.02.2019 国際出願日: 02.08.2017
IPC:
G01R 31/26 (2014.01) ,H01L 21/66 (2006.01)
G 物理学
01
測定;試験
R
電気的変量の測定;磁気的変量の測定
31
電気的性質を試験するための装置;電気的故障の位置を示すための装置;試験対象に特徴のある電気的試験用の装置で,他に分類されないもの
26
個々の半導体装置の試験
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
66
製造または処理中の試験または測定
出願人:
富士通株式会社 FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1番1号 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118588, JP
発明者:
添田 武志 SOEDA, Takeshi; JP
代理人:
伊東 忠重 ITOH, Tadashige; JP
伊東 忠彦 ITOH, Tadahiko; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) SOFT ERROR INSPECTION METHOD, SOFT ERROR INSPECTION DEVICE, AND SOFT ERROR INSPECTION SYSTEM
(FR) PROCÉDÉ D'INSPECTION D'ERREURS TEMPORAIRES, DISPOSITIF D'INSPECTION D'ERREURS TEMPORAIRES ET SYSTÈME D'INSPECTION D'ERREURS TEMPORAIRES
(JA) ソフトエラー検査方法、ソフトエラー検査装置及びソフトエラー検査システム
要約:
(EN) This soft error inspection method for a semiconductor device is characterized by comprising: a step for polishing the back surface of the semiconductor device, thereafter, a step for measuring the thicknesses of a plurality of parts of a soft error inspection area of the semiconductor device, a step for irradiating laser light of wavelengths corresponding to the thicknesses of the semiconductor device onto the back surface of the semiconductor device, and a step for measuring bit flip times for the parts of the semiconductor device irradiated with the laser light. With this method, the present invention solves the problem in the existing state of the art.
(FR) Ce procédé d'inspection d'erreurs temporaires pour un dispositif à semi-conducteur est caractérisé en ce qu'il comprend : une étape consistant à polir la surface arrière du dispositif à semi-conducteur, puis, une étape consistant à mesurer les épaisseurs d'une pluralité de parties d'une zone d'inspection d'erreurs temporaires du dispositif à semi-conducteur, une étape consistant à exposer la surface arrière du dispositif à semi-conducteur à un rayonnement de lumière laser à des longueurs d'ondes correspondant aux épaisseurs du dispositif à semi-conducteur, et une étape consistant à mesurer les temps d'inversion de bits pour les parties du dispositif à semi-conducteur exposées à un rayonnement de lumière laser. Grâce à ce procédé, la présente invention résout le problème dans l'état de la technique existant.
(JA) 半導体デバイスにおけるソフトエラー検査方法において、前記半導体デバイスの裏面を研磨する工程と、前記研磨の後に、前記半導体デバイスのソフトエラー検査領域における複数の部分の厚さを測定する工程と、前記半導体デバイスの厚さに対応する波長のレーザ光を前記半導体デバイスの裏面に照射する工程と、前記半導体デバイスの前記レーザ光が照射されている部分のビット反転の時間を測定する工程と、を有することを特徴とするソフトエラー検査方法により上記課題を解決する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)