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1. (WO2019026197) 半導体記憶装置
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国際公開番号: WO/2019/026197 国際出願番号: PCT/JP2017/027992
国際公開日: 07.02.2019 国際出願日: 02.08.2017
IPC:
G11C 11/406 (2006.01)
G 物理学
11
情報記憶
C
静的記憶
11
特定の電気的または磁気的記憶素子の使用によって特徴づけられたデジタル記憶装置;そのための記憶素子
21
電気的素子を用いるもの
34
半導体装置を用いるもの
40
トランジスタを用いるもの
401
リフレッシングまたは電荷再生,すなわちダイナミック・セル
406
リフレッシングまたは電荷再生サイクルの管理または制御
出願人:
ゼンテルジャパン株式会社 ZENTEL JAPAN CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区新橋六丁目21番3号 21-3, Shimbashi 6-chome, Minato-ku, Tokyo 1050004, JP
発明者:
倉盛 文章 KURAMORI, Bunsho; JP
野口 峰男 NOGUCHI, Mineo; JP
廣田 彰宏 HIROTA, Akihiro; JP
石原 政広 ISHIHARA, Masahiro; JP
米山 満 YONEYAMA, Mitsuru; JP
久保 貴志 KUBO, Takashi; JP
原口 大 HARAGUCHI, Masaru; JP
瀬戸川 潤 SETOGAWA, Jun; JP
伊賀 裕倫 IGA, Hironori; JP
代理人:
鮫島 睦 SAMEJIMA, Mutsumi; JP
川端 純市 KAWABATA, Junichi; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE STOCKAGE À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体記憶装置
要約:
(EN) Disclosed is a semiconductor storage device such as a DRAM or the like wherein, in order to solve a row hammer problem, a row control circuit is provided which latches, as a victim address by a prescribed row address latch method, a target address when an active command for the semiconductor storage device is issued or a row address of a victim cell in which data in a memory cell is influenced by the target address, and refreshes the victim cell having the victim address through a prescribed refresh method, when a refresh command is issued.
(FR) L'invention concerne un dispositif de stockage à semi-conducteurs tel qu'une DRAM ou similaire, dans lequel, afin de résoudre un problème d'attaques répétées, un circuit de commande de rangée est prévu qui verrouille, en tant qu'adresse victime par un procédé de verrouillage d'adresse de rangée prescrite, une adresse cible lorsqu'une commande active pour le dispositif de stockage à semi-conducteurs est émise ou une adresse de rangée d'une cellule victime dans laquelle des données dans une cellule de mémoire sont influencées par l'adresse cible, et rafraîchit la cellule victime comportant l'adresse victime par l'intermédiaire d'un procédé de rafraîchissement prescrit, lorsqu'une commande de rafraîchissement est émise.
(JA) DRAMなどの半導体記憶装置において、ロウハンマー問題を解決するために、半導体記憶装置に対するアクティブコマンドの発行時におけるターゲットアドレスもしくはそのターゲットアドレスでメモリセルのデータに対して影響を受けるビクティムセルのロウアドレスを、所定のロウアドレスラッチ方法によりビクティムアドレスとしてラッチし、当該ビクティムアドレスを有するビクティムセルに対して、リフレッシュコマンドの発行時に所定のリフレッシュ方法でリフレッシュするロウ制御回路を備える。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)