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1. (WO2019025917) 半導体装置、及び表示装置
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国際公開番号: WO/2019/025917 国際出願番号: PCT/IB2018/055617
国際公開日: 07.02.2019 国際出願日: 27.07.2018
IPC:
H01L 21/336 (2006.01) ,G02F 1/1368 (2006.01) ,G09F 9/30 (2006.01) ,H01L 27/32 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 51/50 (2006.01) ,H05B 33/14 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
336
絶縁ゲートを有するもの
G 物理学
02
光学
F
光の強度,色,位相,偏光または方向の制御,例.スイッチング,ゲーテイング,変調または復調のための装置または配置の媒体の光学的性質の変化により,光学的作用が変化する装置または配置;そのための技法または手順;周波数変換;非線形光学;光学的論理素子;光学的アナログ/デジタル変換器
1
独立の光源から到達する光の強度,色,位相,偏光または方向の制御のための装置または配置,例.スィッチング,ゲーテイングまたは変調;非線形光学
01
強度,位相,偏光または色の制御のためのもの
13
液晶に基づいたもの,例.単一の液晶表示セル
133
構造配置;液晶セルの作動;回路配置
136
半導体の層または基板と構造上組み合された液晶セル,例.集積回路の一部を構成するセル
1362
アクティブマトリックスセル
1368
スイッチング素子が三端子の素子であるもの
G 物理学
09
教育;暗号方法;表示;広告;シール
F
表示;広告;サイン;ラベルまたはネームプレート;シール
9
情報が個別素子の選択または組合わせによって支持体上に形成される可変情報用の指示装置
30
必要な文字が個々の要素を組み合わせることによって形成されるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
28
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる構成部品を含むもの
32
光放出に特に適用される構成部品を有するもの,例.有機発光ダイオードを使用したフラットパネル・ディスプレイ
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786
薄膜トランジスタ
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
50
光放出に特に適用されるもの,例.有機発光ダイオード(OLED)または高分子発光ダイオード(PLED)
H 電気
05
他に分類されない電気技術
B
電気加熱;他に分類されない電気照明
33
エレクトロルミネッセンス光源
12
実質的に2次元放射面をもつ光源
14
エレクトロルミネッセンス材料の配置あるいは化学的または物理的組成によって特徴づけられたもの
出願人:
株式会社半導体エネルギー研究所 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 神奈川県厚木市長谷３９８ 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 2430036, JP
発明者:
山崎舜平 YAMAZAKI, Shunpei; JP
島行徳 SHIMA, Yukinori; --
神長正美 JINTYOU, Masami; --
優先権情報:
2017-15123604.08.2017JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, AND DISPLAY DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF D’AFFICHAGE
(JA) 半導体装置、及び表示装置
要約:
(EN) Provided is a semiconductor device which can be made highly integrated. The semiconductor device includes a semiconductor layer, a first insulation layer, a second insulation layer, a third insulation layer, and a first conductive layer. The third insulation layer is positioned above the semiconductor layer and includes an opening above the semiconductor layer. The first conductive layer is positioned above the semiconductor layer, the first insulation layer is positioned between the first conductive layer and the semiconductor layer, and the second insulation layer is provided in a position in contact with the semiconductor layer, the first insulation layer and a side surface of the first opening. The semiconductor layer includes: a first portion overlapping the first insulation layer; a pair of second portions sandwiching the first portion, and overlapping the second insulation layer; and a pair of third portions sandwiching the first portion and the pair of second portions, and not overlapping either of the first insulation layer or the second insulation layer. The first portion has a width smaller than the width of the first opening, and has a shape in which the film thickness of the semiconductor layer is thinner than in the second portions, and the second portions have a shape in which the film thickness of the semiconductor layer is thinner than in the third portions.
(FR) La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur qui peut être rendu hautement intégré. Le dispositif à semi-conducteur comprend une couche semi-conductrice, une première couche isolante, une seconde couche isolante, une troisième couche isolante et une première couche conductrice. La troisième couche isolante est positionnée au-dessus de la couche semi-conductrice et comprend une ouverture au-dessus de la couche semi-conductrice. La première couche conductrice est positionnée au-dessus de la couche semi-conductrice, la première couche isolante est positionnée entre la première couche conductrice et la couche semi-conductrice, et la seconde couche isolante est disposée dans une position en contact avec la couche semi-conductrice, la première couche isolante et une surface latérale de la première ouverture. La couche semi-conductrice comprend : une première partie chevauchant la première couche isolante; une paire de secondes parties prenant en sandwich la première partie, et chevauchant la seconde couche isolante; et une paire de troisièmes parties prenant en sandwich la première partie et la paire de secondes parties, et ne chevauchant pas l'une ou l'autre de la première couche isolante ou de la seconde couche isolante. La première partie a une largeur inférieure à la largeur de la première ouverture, et a une forme dans laquelle l'épaisseur de film de la couche semi-conductrice est plus mince que dans les secondes parties, et les secondes parties ont une forme dans laquelle l'épaisseur de film de la couche semi-conductrice est plus mince que dans les troisièmes parties.
(JA) 要約書 高集積化が可能な半導体装置を提供する。 半導体装置は、半導体層、第１の絶縁層、第２の絶縁層、第３の絶縁層、及び第１の導電層を有する。 第３の絶縁層は、 半導体層上に位置し、 さらに半導体層上に第１の開口を有し、 第１の導電層は、 半 導体層上に位置し、第１の絶縁層は、第１の導電層と、半導体層との間に位置し、第２の絶縁層は、 第１の開口の側面と、 半導体層と、 第１の絶縁層と接する位置に設けられる。 半導体層は、 第１の絶 縁層と重なる第１の部分と、 第１の部分を挟み、 且つ第２の絶縁層と重なる一対の第２の部分と、 第 １の部分及び一対の第２の部分を挟み、且つ第１の絶縁層及び第２の絶縁層のいずれにも重ならない 一対の第３の部分とを有する。 第１の部分は、 第１の開口の幅よりも小さい幅を有し、 また、 半導体 層が第２の部分より膜厚が薄い形状を有し、 第２の部分は、 半導体層が第３の部分より膜厚が薄い形 状を有する。
 front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)