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1. (WO2019024906) LDMOS COMPONENT, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND ELECTRONIC DEVICE
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国際公開番号: WO/2019/024906 国際出願番号: PCT/CN2018/098447
国際公開日: 07.02.2019 国際出願日: 03.08.2018
IPC:
H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
336
絶縁ゲートを有するもの
出願人:
无锡华润上华科技有限公司 CSMC TECHNOLOGIES FAB2 CO., LTD. [CN/CN]; 中国江苏省无锡市 新区新洲路8号 No. 8 Xinzhou Road, New District Wuxi, Jiangsu 214028, CN
発明者:
金华俊 JIN, Huajun; CN
孙贵鹏 SUN, Guipeng; CN
金宏峰 JIN, Hongfeng; CN
代理人:
广州华进联合专利商标代理有限公司 ADVANCE CHINA IP LAW OFFICE; 中国广东省广州市天河区珠江东路6号4501房 (部位:自编01-03和08-12单元)(仅限办公用途) Room 4501, No. 6 Zhujiang East Road, Tianhe District, Guangzhou Guangdong 510623, CN
優先権情報:
201710660988.804.08.2017CN
発明の名称: (EN) LDMOS COMPONENT, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) COMPOSANT LDMOS, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(ZH) 一种LDMOS器件及其制造方法和电子装置
要約:
(EN) Provided in the present invention are an LDMOS component, a manufacturing method therefor, and an electronic device, comprising: a semiconductor substrate (100); a drift area (101) provided in the semiconductor substrate; a gate electrode structure (103) provided on a part of the surface of the semiconductor substrate and covers a part of the surface of the drift area; a source electrode (1052) and a drain electrode (1051) respectively provided in the semiconductor substrate on either side of the gate electrode structure, where the drain electrode is provided in the drift area and is separated from the gate electrode structure; a metal silicide barrier layer (106) covering the surface of at least a part of the semiconductor substrate between the gate electrode structure and the drain electrode; and a first contact hole (1081) provided on the surface of at least a part of the metal silicide barrier layer.
(FR) La présente invention concerne un composant LDMOS, son procédé de fabrication, et un dispositif électronique, comprenant : un substrat semi-conducteur (100) ; une zone de dérive (101) disposée dans le substrat semi-conducteur ; une structure d'électrode de grille (103) disposée sur une partie de la surface du substrat semi-conducteur et recouvrant une partie de la surface de la zone de dérive ; une électrode de source (1052) et une électrode de drain (1051) disposées respectivement dans le substrat semi-conducteur de chaque côté de la structure d'électrode de grille, l'électrode de drain étant disposée dans la zone de dérive et étant séparée de la structure d'électrode de grille; une couche barrière en siliciure métallique (106) recouvrant la surface d'au moins une partie du substrat semi-conducteur entre la structure d'électrode de grille et l'électrode de drain; et un premier trou de contact (1081) disposé sur la surface d'au moins une partie de la couche barrière en siliciure métallique.
(ZH) 本发明提供一种LDMOS器件及其制造方法和电子装置,包括:半导体衬底(100);漂移区(101),设置在半导体衬底中;栅极结构(103),设置在半导体衬底的部分表面上,并覆盖部分漂移区的表面;源极(1052)和漏极(1051),分别设置在栅极结构两侧的半导体衬底中,其中,漏极设置在漂移区内并与栅极结构之间存在间隔;金属硅化物阻挡层(106),覆盖栅极结构和漏极之间的至少部分半导体衬底的表面;第一接触孔(1081),设置在至少部分金属硅化物阻挡层的表面上。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 中国語 (ZH)
国際出願言語: 中国語 (ZH)