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1. (WO2019024329) ULTRAVIOLET LED EPITAXIAL CHIP FLIP STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
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国際公開番号: WO/2019/024329 国際出願番号: PCT/CN2017/111525
国際公開日: 07.02.2019 国際出願日: 17.11.2017
IPC:
H01L 33/48 (2010.01) ,H01L 25/075 (2006.01) ,H01L 23/60 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
48
半導体素子本体のパッケージに特徴のあるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03
すべての装置がグループ27/00~51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04
個別の容器を持たない装置
075
装置がグループ33/00に分類された型からなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
58
他に分類されない半導体装置用構造的電気的装置
60
静電荷または放電からの保護,例.ファラデーシールド
出願人:
广东工业大学 GUANGDONG UNIVERSITY OF TECHNOLOGY [CN/CN]; 中国广东省广州市 越秀区东风东路729号大院 729 Dongfeng East Rd, Yuexiu District Guangzhou, Guangdong 510006, CN
発明者:
何苗 HE, Miao; CN
杨思攀 YANG, Sipan; CN
王成民 WANG, Chengmin; CN
周海亮 ZHOU, Hailiang; CN
代理人:
北京集佳知识产权代理有限公司 UNITALEN ATTORNEYS AT LAW; 中国北京市 朝阳区建国门外大街22号赛特广场7层 7th Floor, Scitech Place No.22, Jian Guo Men Wai Ave., Chao Yang District Beijing 100004, CN
優先権情報:
201710638940.731.07.2017CN
発明の名称: (EN) ULTRAVIOLET LED EPITAXIAL CHIP FLIP STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) STRUCTURE DE RETOURNEMENT DE PUCE ÉPITAXIQUE DE DEL ULTRAVIOLETTE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 一种紫外LED外延芯片倒装结构及其制作方法
要約:
(EN) The invention provides an ultraviolet LED epitaxial chip flip structure and a manufacturing method thereof. The ultraviolet LED epitaxial chip flip structure comprises: an underlying base (101) and a substrate (102) which are oppositely arranged; an epitaxial layer structure which is arranged between the underlying base and the substrate; and an isolation layer (104) which is arranged in a way of being perpendicular to the underlying base, penetrates through the epitaxial layer structure and isolates the epitaxial layer structure into a light-emitting diode structure (103A) and an electrostatic protection diode structure (103B), wherein the second electrode of the light-emitting diode structure is electrically connected with the first electrode of the electrostatic protection diode structure. The first electrode of the electrostatic protection diode structure is electrically connected with the second electrode of the light-emitting diode structure so that the electrostatic protection diode structure and the light-emitting diode structure are reversely connected in parallel. Therefore, an electrostatic discharge channel is directly provided, so that surge voltage or high pulse current can bypass the light-emitting diode structure to flow through the electrostatic protection diode structure, and thus normal working of the light-emitting diode structure can be guaranteed and the yield rate and the reliability of the ultraviolet LED epitaxial chip can be enhanced.
(FR) L’invention concerne une structure de retournement de puce épitaxique de DEL ultraviolette et son procédé de fabrication. La structure de retournement de puce épitaxique de DEL ultraviolette comprend : une base sous-jacente (101) et un substrat (102) qui sont agencés l’un en face de l’autre ; une structure de couche épitaxique qui est agencée entre la base sous-jacente et le substrat ; et une couche d’isolation (104) qui est agencée de manière à être perpendiculaire à la base sous-jacente, pénètre à travers la structure de couche épitaxique et isole la structure de couche épitaxique en une structure de diode électroluminescente (103A) et une structure de diode de protection électrostatique (103B), la deuxième électrode de la structure de diode électroluminescente étant connectée électriquement à la première électrode de la structure de diode de protection électrostatique. La première électrode de la structure de diode de protection électrostatique est connectée électriquement à la deuxième électrode de la structure de diode électroluminescente de sorte que la structure de diode de protection électrostatique et la structure de diode électroluminescente sont connectées inversement en parallèle. Par conséquent, un canal de décharge électrostatique est réalisé directement, de sorte que la tension de surcharge ou un fort courant par impulsions peut contourner la structure de diode électroluminescente pour circuler à travers la structure de diode de protection électrostatique, et ainsi le fonctionnement normal de la structure de diode électroluminescente peut être garanti et le rendement et la fiabilité de la puce épitaxique de DEL ultraviolette peuvent être renforcés.
(ZH) 一种紫外LED外延芯片倒装结构及其制作方法,紫外LED外延芯片倒装结构包括:相对设置的衬底(101)和基板(102);位于衬底和基板之间的外延层结构;隔离层(104),隔离层垂直于衬底设置,贯穿外延层结构,并将外延层结构隔离成发光二极管结构(103A)与静电保护二极管结构(103B);其中,发光二极管结构的第二电极和静电保护二极管结构的第一电极电连接。由于静电保护二极管结构的第一电极与发光二极管结构的第二电极电连接,使得静电保护二极管结构与发光二极管结构反向并联,直接提供了一条静电放电通道,浪涌电压或大脉冲电流可以绕过发光二极管结构而流经静电保护二极管结构,从而保证了发光二极管结构正常工作,提高了紫外LED外延芯片的成品率和可靠性。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 中国語 (ZH)
国際出願言語: 中国語 (ZH)