このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2019022258) 基板保持部材および半導体製造装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2019/022258 国際出願番号: PCT/JP2018/028483
国際公開日: 31.01.2019 国際出願日: 30.07.2018
IPC:
H01L 21/677 (2006.01) ,B25J 15/00 (2006.01) ,C04B 41/83 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
67
製造または処理中の半導体または電気的固体装置の取扱いに特に適用される装置;半導体または電気的固体装置もしくは構成部品の製造または処理中のウエハの取扱いに特に適用される装置
677
移送のためのもの,例.異なるワ―クステーション間での移送
B 処理操作;運輸
25
手工具;可搬型動力工具;手工具用の柄;作業場設備;マニプレータ
J
マニプレータ;マニプレータ装置を持つ小室
15
把持部
C 化学;冶金
04
セメント;コンクリート;人造石;セラミックス;耐火物
B
石灰;マグネシア;スラグ;セメント;その組成物,例.モルタル,コンクリートまたは類似の建築材料;人造石;セラミックス;耐火物;天然石の処理
41
モルタル,コンクリート,人造石またはセラミックスの後処理;天然石の処理
80
セラミックスのみの
81
被覆または含浸
82
有機物によるもの
83
高分子化合物
出願人:
京セラ株式会社 KYOCERA CORPORATION [JP/JP]; 京都府京都市伏見区竹田鳥羽殿町6番地 6, Takeda Tobadono-cho, Fushimi-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6128501, JP
発明者:
井上 徹彌 INOUE, Tetsuya; JP
吉田 政生 YOSHIDA, Masao; JP
優先権情報:
2017-14666128.07.2017JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE HOLDING MEMBER AND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING DEVICE
(FR) ÉLÉMENT PORTE-SUBSTRAT ET DISPOSITIF DE FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 基板保持部材および半導体製造装置
要約:
(EN) A substrate holding member of the present disclosure comprises a body comprising a plate-form ceramic material, and a cover film that covers the surface of the body, wherein when the fracture toughness of the ceramic material is K1C, the thermal expansion coefficient is α1, the thickness is t1, the Young’s modulus is E1, the thermal expansion coefficient of the cover film is α2, the thickness is t2, the Young’s modulus is E2, the compression strength is σ, and the safety factor of the substrate holding member is Sp, t1 is 0.5 to 30 mm, and t2 is 3 µm or greater, and 0.1 t1 or less, and the F value expressed by formula 1 is 1x1022 or greater. A semiconductor manufacturing device of the present disclosure comprises the abovementioned substrate holding member.
(FR) Cette invention concerne un élément porte-substrat, comprenant un corps comprenant un matériau céramique en forme de plaque, et un film de couverture qui recouvre la surface du corps, où lorsque la ténacité du matériau céramique est K1C, le coefficient de dilatation thermique est alpha1, l'épaisseur est t1, le module de Young est E1, le coefficient de dilatation thermique du film de couverture est alpha2, l'épaisseur est t2, le module de Young est E2, la résistance à la compression est sigma, et le facteur de sécurité de l'élément porte-substrat est Sp, alors t1 va de 0,5 à 30 mm, et t2 est supérieure ou égal à 3 µm, et 0,1 t1 ou moins, et la valeur F exprimée par la formule 1 supérieure ou égale à 1x1022. Un dispositif de fabrication de semi-conducteurs selon invention comprend l'élément porte-substrat susmentionné.
(JA) 本開示の基板保持部材は、板状のセラミックスからなる本体と、前記本体の表面を被覆する被覆膜とを備えた基板保持部材であって、前記セラミックスの破壊靱性をK1C、熱膨張係数をα1、厚みをt1、ヤング率をE1とし、前記被覆膜の熱膨張係数をα2、厚みをt2、ヤング率をE2、圧縮強度をσとし、前記基板保持部材の安全率をSpとしたとき、t1は、0.5mm以上、30mm以下であり、t2は、3μm以上、0.1t1以下であり、式1で表されるF値が、1×1022以上である。また、本開示の半導体製造装置は、上記の基板保持部材を備える。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)