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1. (WO2019022236) 弾性波装置、分波器および通信装置
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国際公開番号: WO/2019/022236 国際出願番号: PCT/JP2018/028281
国際公開日: 31.01.2019 国際出願日: 27.07.2018
IPC:
H03H 9/25 (2006.01)
H 電気
03
基本電子回路
H
インビーダンス回路網,例.共振回路;共振器
9
電気機械的または電気音響的素子を含む回路網;電気機械的共振器
25
弾性表面波を使用する共振器の構造上の特徴
出願人:
京セラ株式会社 KYOCERA CORPORATION [JP/JP]; 京都府京都市伏見区竹田鳥羽殿町6番地 6, Takeda Tobadono-cho, Fushimi-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6128501, JP
発明者:
伊藤 幹 ITO, Motoki; JP
岸野 哲也 KISHINO, Tetsuya; JP
優先権情報:
2017-14572927.07.2017JP
発明の名称: (EN) ELASTIC WAVE DEVICE, DUPLEXER, AND COMMUNICATION DEVICE
(FR) DISPOSITIF À ONDES ÉLASTIQUES, DUPLEXEUR, ET DISPOSITIF DE COMMUNICATION
(JA) 弾性波装置、分波器および通信装置
要約:
(EN) The present invention has: a substrate 3; a multilayer film 5 positioned on the substrate 3; an LT layer 7 positioned on the multilayer film 5, and constituted from a single crystal of LiTaO3; and an IDT electrode 19 positioned on the LT layer 7. An elastic wave device such that the differential D of the multilayer film 5 is negative, the differential D being obtained by subtracting the total value obtained by multiplying the density and thickness of a film having a sound speed higher than the lateral wave sound speed of the LT layer 7 from the total value obtained by multiplying the density and thickness of a film having a sound speed slower than the lateral wave sound speed of the LT layer 7, and when the pitch of the electrode finger of the IDT electrode 19 is defined as p, the thickness of the LT layer 7 is less than 2 p.
(FR) La présente invention comprend : un substrat (3) ; un film multicouche (5) positionné sur le substrat (3) ; une couche LT (7) positionnée sur le film multicouche (5), et constituée d'un monocristal de LiTaO3 ; et une électrode IDT (19) positionnée sur la couche LT (7). Un dispositif à ondes élastiques est de telle sorte que le différentiel (D) du film multicouche (5) est négatif, le différentiel (D) étant obtenu par soustraction de la valeur totale obtenue en multipliant la densité et l'épaisseur d'un film ayant une vitesse sonore supérieure à la vitesse sonore d'onde latérale de la couche LT (7) de la valeur totale obtenue par multiplication de la densité et de l'épaisseur d'un film ayant une vitesse sonore inférieure à la vitesse sonore d'onde latérale de la couche LT (7), et lorsque le pas du doigt d'électrode de l'électrode IDT (19) est défini comme étant égal à p, l'épaisseur de la couche LT (7) est inférieure à 2 p.
(JA) 基板3と、前記基板3上に位置している多層膜5と、前記多層膜5上に位置している、LiTaOの単結晶により構成されているLT層7と、前記LT層7上に位置しているIDT電極19と、を有している。前記多層膜5は、前記LT層7の横波音速よりも高い音速を有する膜の密度と厚みとを乗じた値の合計値から、前記LT層7の横波音速よりも遅い音速を有する膜の密度と厚みとを乗じた値の合計値を引いた差分値Dが負となり、前記LT層7の厚さが、前記IDT電極19の電極指のピッチをpとしたときに、2p未満である、弾性波装置である。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)