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1. (WO2019022053) 単結晶の製造方法
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国際公開番号: WO/2019/022053 国際出願番号: PCT/JP2018/027632
国際公開日: 31.01.2019 国際出願日: 24.07.2018
IPC:
C30B 29/36 (2006.01) ,C30B 19/04 (2006.01) ,C30B 19/12 (2006.01)
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10
無機化合物または組成物
36
炭化物
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
19
液相エピタキシャル成長
02
溶融溶媒を用いるもの,例.フラックス
04
溶媒が結晶組成の一成分であるもの
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
19
液相エピタキシャル成長
12
基板によって特徴づけられたもの
出願人:
東洋炭素株式会社 TOYO TANSO CO., LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市西淀川区竹島5丁目7番12号 7-12, Takeshima 5-chome, Nishiyodogawa-ku, Osaka-shi, Osaka 5550011, JP
学校法人関西学院 KWANSEI GAKUIN EDUCATIONAL FOUNDATION [JP/JP]; 兵庫県西宮市上ヶ原一番町1番155号 1-155, Uegahara-Ichiban-cho, Nishinomiya-shi, Hyogo 6628501, JP
発明者:
矢吹 紀人 YABUKI, Norihito; JP
阿部 純久 ABE, Yoshihisa; JP
須藤 悠介 SUDO, Yusuke; JP
野上 暁 NOGAMI, Satoru; JP
北畠 真 KITABATAKE, Makoto; JP
金子 忠昭 KANEKO, Tadaaki; JP
芦田 晃嗣 ASHIDA, Koji; JP
代理人:
桂川 直己 KATSURAGAWA, Naoki; JP
優先権情報:
2017-14620328.07.2017JP
発明の名称: (EN) PRODUCTION METHOD FOR MONO-CRYSTALS
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE MONOCRISTAUX
(JA) 単結晶の製造方法
要約:
(EN) This production method for SiC mono-crystals (42) comprises a pattern formation step and a crystal growth step. In the pattern formation step, a plurality of long strips (41) which protrude in the c-axis direction and have an elongated shape as viewed in the c-axis direction are formed so as to be spaced apart from each other, by partially removing or partially growing the (0001) plane or (000-1) plane of a SiC substrate (40) having a hexagonal-system crystal structure. In the crystal growth step, crystal growth is promoted on the SiC substrate (40) in a direction perpendicular to the c-axis and in the c-axis direction so that SiC mono-crystals (42) grown from the long strips (41) are joined together. In some of the long strips (41) formed in the pattern formation step, the absolute value of an angle between the longitudinal direction thereof as viewed in the c-axis direction and the [11-20] direction of the SiC substrate (40) is in the range of 30°+60n° ± 15°.
(FR) L'invention concerne un procédé de production de monocristaux de SiC (42), comprenant une étape de formation de motif et une étape de croissance cristalline. Dans l'étape de formation de motif, une pluralité de longues bandes (41), qui font saillie dans la direction de l'axe c et qui présentent une forme allongée telle qu'observées dans la direction de l'axe c, sont formées de façon à être espacées les unes des autres, par élimination partielle ou croissance partielle du plan (0001) ou du plan (000-1) d'un substrat de SiC (40) présentant une structure cristalline à système hexagonal. Dans l'étape de croissance cristalline, la croissance cristalline est favorisée sur le substrat de SiC (40) dans une direction perpendiculaire à l'axe c et dans la direction de l'axe c, de sorte que des monocristaux de SiC (42) cultivés à partir des longues bandes (41) soient joints les uns aux autres. Dans certaines des longues bandes (41) formées dans l'étape de formation de motif, la valeur absolue d'un angle entre la direction longitudinale de ces dernières, telles qu'observées dans la direction de l'axe c, et la direction [11-20] du substrat de SiC (40) se situe dans la plage de 30°+60° ± 15°.
(JA) 単結晶SiC(42)の製造方法では、パターン形成工程と、結晶成長工程と、を含む処理を行う。パターン形成工程では、六方晶系の結晶構造を有するSiC基板(40)の(0001)面又は(000-1)面の一部を除去するか一部を成長させることで、c軸方向に突出するとともにc軸方向で見たときに長尺状となる長尺片(41)を間隔を空けて複数形成する。結晶成長工程では、SiC基板(40)に対してc軸に垂直な方向及びc軸方向の結晶成長を行うことで、長尺片(41)から成長させた単結晶SiC(42)同士を接続する。パターン形成工程で形成する長尺片(41)には、c軸方向で見たときの長手方向と、SiC基板(40)の[11-20]方向と、がなす角の絶対値が、30°+60n°±15°の範囲内であるものが含まれている。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)