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1. (WO2019022006) 弾性波素子
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国際公開番号: WO/2019/022006 国際出願番号: PCT/JP2018/027503
国際公開日: 31.01.2019 国際出願日: 23.07.2018
IPC:
H03H 9/25 (2006.01)
H 電気
03
基本電子回路
H
インビーダンス回路網,例.共振回路;共振器
9
電気機械的または電気音響的素子を含む回路網;電気機械的共振器
25
弾性表面波を使用する共振器の構造上の特徴
出願人:
京セラ株式会社 KYOCERA CORPORATION [JP/JP]; 京都府京都市伏見区竹田鳥羽殿町6番地 6, Takeda Tobadono-cho, Fushimi-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6128501, JP
発明者:
野添 惣一朗 NOZOE, Soichiro; JP
岸野 哲也 KISHINO, Tetsuya; JP
優先権情報:
2017-14573027.07.2017JP
発明の名称: (EN) ACOUSTIC WAVE ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT À ONDES ACOUSTIQUES
(JA) 弾性波素子
要約:
(EN) An acoustic wave element 1 which is provided with: an IDT electrode 3 that is provided with a plurality of electrode fingers 32 and excites surface acoustic waves; a first substrate 10 that is formed from a piezoelectric crystal and has an upper surface 10a on which the IDT electrode 3 is arranged; and a second substrate 20 that is bonded to a lower surface 10b of the first substrate 10. This acoustic wave element 1 is configured such that a continuous first region 50x that extends from the lower surface 10b of the first substrate 10 toward the upper surface 10a or a continuous second region 50b that extends from the lower surface 10b of the first substrate 10 toward the second substrate 20 forms a low resistance region 50 that has a resistance of from 5 × 103 Ω to 5 × 107 Ω (inclusive).
(FR) La présente invention concerne un élément à ondes acoustiques (1) qui comprend : une électrode IDT (3) qui comprend une pluralité de doigts (32) d'électrode et excite des ondes acoustiques de surface ; un premier substrat (10) qui est formé à partir d'un cristal piézoélectrique et a une surface supérieure (10a) sur laquelle est disposée l'électrode IDT (3) ; et un second substrat (20) qui est lié à une surface inférieure (10b) du premier substrat (10). Cet élément à ondes acoustiques (1) est conçu de sorte qu'une première région continue (50x) qui s'étend de la surface inférieure (10b) du premier substrat (10) à la surface supérieure (10a), ou qu'une seconde région continue (50b) qui s'étend de la surface inférieure (10b) du premier substrat (10) au second substrat (20), forme une région de faible résistance (50) qui a une résistance située dans la plage allant de 5 × 103 Ω à 5 × 107 Ω (inclus).
(JA) 複数の電極指32を備え、弾性表面波を励振するIDT電極3と、上面10aに前記IDT電極3が位置しており、圧電結晶からなる第1基板10と、前記第1基板10の下面10bの側に接合された第2基板20と、を備え、前記第1基板10の下面10bから上面10aの側にむけた連続する第1領域50xまたは前記第1基板10の下面10bから前記第2基板20の側に向けた連続する第2領域50bのいずれかが、抵抗値が5×10Ω以上5×10Ω以下である低抵抗領域50となっている、弾性波素子1である。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)