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1. (WO2019021852) 半導体装置および電子機器
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国際公開番号: WO/2019/021852 国際出願番号: PCT/JP2018/026427
国際公開日: 31.01.2019 国際出願日: 13.07.2018
IPC:
H04N 5/357 (2011.01) ,H01L 21/3205 (2006.01) ,H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 21/822 (2006.01) ,H01L 23/522 (2006.01) ,H01L 27/04 (2006.01) ,H01L 27/146 (2006.01) ,H04N 5/369 (2011.01)
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
30
光または類似信号から電気信号への変換
335
固体撮像素子を用いるもの
357
ノイズ処理に特徴のあるもの,例.ノイズの検出,補正,低減,除去
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
3205
絶縁層へ非絶縁層,例.導電層または抵抗層,の付着;これらの層の後処理
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
71
グループ21/70で限定された装置の特定部品の製造
768
装置内の別個の構成部品間に電流を流すため使用する相互接続を適用するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
77
1つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78
複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82
それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822
基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
52
動作中の装置内の1つの構成部品から他の構成部品へ電流を導く装置
522
半導体本体上に分離できないように形成された導電層及び絶縁層の多層構造からなる外部の相互接続を含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14
赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144
輻射線によって制御される装置
146
固体撮像装置構造
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
30
光または類似信号から電気信号への変換
335
固体撮像素子を用いるもの
369
固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
出願人:
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
発明者:
宮本 宗 MIYAMOTO Takashi; JP
秋山 義行 AKIYAMA Yoshiyuki; JP
角田 純一 TSUNODA Junichi; JP
児島 秀一 KOJIMA Shuuichi; JP
代理人:
西川 孝 NISHIKAWA Takashi; JP
稲本 義雄 INAMOTO Yoshio; JP
優先権情報:
2017-14536427.07.2017JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET APPAREIL ÉLECTRONIQUE
(JA) 半導体装置および電子機器
要約:
(EN) The present technology relates to a semiconductor device and an electronic apparatus, whereby generation of noise in signals can be suppressed. This semiconductor device is provided with: a first semiconductor substrate wherein at least a part of a first conductor loop is formed; and a second semiconductor substrate that includes a first conductor layer and a second conductor layer, each having a conductor, said first conductor layer and second conductor layer forming a second conductor loop. The first conductor layer and the second conductor layer are configured such that the direction of a loop plane where a magnetic flux is generated from the second conductor loop, and the direction of a loop plane where the first conductor loop generates electromotive force are different from each other. The present technology can be applied to, for instance, CMOS image sensors.
(FR) La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur et un appareil électronique avec lesquels une génération de bruit dans des signaux peut être supprimée. Le dispositif à semi-conducteur comprend : un premier substrat semi-conducteur dans lequel au moins une partie d'une première boucle conductrice est formée ; et un second substrat semi-conducteur qui comprend une première couche conductrice et une seconde couche conductrice, chacune ayant un conducteur, ladite première couche conductrice et ladite seconde couche conductrice formant une seconde boucle conductrice. La première couche conductrice et la seconde couche conductrice sont configurées de telle sorte que la direction d'un plan de boucle où un flux magnétique est généré à partir de la seconde boucle conductrice et la direction d'un plan de boucle où la première boucle conductrice génère une force électromotrice sont différentes l'une de l'autre. La présente technologie peut être appliquée, par exemple, à des capteurs d’images CMOS.
(JA) 本技術は、信号におけるノイズの発生を抑制することができるようにする半導体装置および電子機器に関する。 半導体装置は、第1の導体ループの少なくとも一部が形成される第1の半導体基板と、第2の導体ループを形成する、導体を有する第1の導体層及び第2の導体層を含む第2の半導体基板とを備え、第1の導体層と第2の導体層は、第2の導体ループから磁束が発生するループ面の方向と、第1の導体ループに誘導起電力を発生させるループ面の方向と、が異なるように構成される。本技術は、例えば、CMOSイメージセンサに適用できる。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)