このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2019021836) 有機白金化合物からなる気相蒸着用原料及び該気相蒸着用原料を用いた気相蒸着法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2019/021836 国際出願番号: PCT/JP2018/026261
国際公開日: 31.01.2019 国際出願日: 12.07.2018
IPC:
C23C 16/18 (2006.01) ,C07C 211/40 (2006.01) ,C07F 15/00 (2006.01) ,H01L 21/28 (2006.01) ,H01L 21/285 (2006.01)
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
06
金属質材料の析出に特徴のあるもの
18
金属有機質化合物からのもの
C 化学;冶金
07
有機化学
C
非環式化合物または炭素環式化合物
211
炭素骨格に結合しているアミノ基を含有する化合物
33
6員芳香環以外の環の炭素原子に結合しているアミノ基をもつもの
39
不飽和炭素骨格の
40
非縮合環のみを含有するもの
C 化学;冶金
07
有機化学
F
炭素,水素,ハロゲン,酸素,窒素,硫黄,セレンまたはテルル以外の元素を含有する非環式,炭素環式または複素環式化合物
15
周期律表の第8族の元素を含有する化合物
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28
21/20~21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28
21/20~21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
283
電極用の導電または絶縁材料の析出
285
気体または蒸気からの析出,例.凝結
出願人:
田中貴金属工業株式会社 TANAKA KIKINZOKU KOGYO K.K. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内2丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006422, JP
発明者:
原田 了輔 HARADA Ryosuke; JP
大武 成行 OOTAKE Shigeyuki; JP
重冨 利幸 SHIGETOMI Toshiyuki; JP
鈴木 和治 SUZUKI Kazuharu; JP
代理人:
特許業務法人田中・岡崎アンドアソシエイツ TANAKA AND OKAZAKI; 東京都文京区本郷3丁目30番10号 本郷K&Kビル Hongo K&K Bldg., 30-10, Hongo 3-chome, Bunkyo-ku, Tokyo 1130033, JP
優先権情報:
2017-14332725.07.2017JP
発明の名称: (EN) VAPOR DEPOSITION RAW MATERIAL COMPRISING ORGANOPLATINUM COMPOUND, AND VAPOR DEPOSITION METHOD USING SAID VAPOR DEPOSITION RAW MATERIAL
(FR) MATIÈRE PREMIÈRE DE DÉPÔT EN PHASE VAPEUR COMPRENANT UN COMPOSÉ ORGANOPLATINE, ET PROCÉDÉ DE DÉPÔT EN PHASE VAPEUR UTILISANT LADITE MATIÈRE PREMIÈRE DE DÉPÔT EN PHASE VAPEUR
(JA) 有機白金化合物からなる気相蒸着用原料及び該気相蒸着用原料を用いた気相蒸着法
要約:
(EN) The present invention relates to a vapor deposition raw material for manufacturing a platinum thin film or a platinum-compound thin film by a vapor deposition method. This vapor deposition raw material comprises an organoplatinum compound represented by the following formula, in which a cyclopentene-amine ligand and an alkyl ligand are coordinated with divalent platinum. The organoplatinum compound applied in the present invention is provided with suitable thermal stability, and can flexibly respond even to severe film formation conditions such as expansion of a film formation area or increasing of throughput. (In the formula, each of R1, R2, and R3 is any one of a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an amino group, an imino group, a cyano group, and an isocyano group, and are all C4 or lower, and R4 and R5 are each a C1-3 alkyl group.)
(FR) La présente invention concerne une matière première de dépôt en phase vapeur pour la fabrication d'un film mince de platine ou d'un film mince de composé de platine par un procédé de dépôt en phase vapeur. Cette matière première de dépôt en phase vapeur comprend un composé organoplatine représenté par la formule ci-après, dans laquelle un ligand cyclopentène-amine et un ligand alkyle sont coordonnés avec du platine divalent. Le composé organoplatine employé dans la présente invention est doté d'une stabilité thermique appropriée et apporte une souplesse d'utilisation même dans des conditions de formation de film difficiles, telles que l'expansion d'une zone de formation de film ou l'augmentation du débit. Dans la formule, chacun de R1, R2 et R3 représente l'un quelconque d'un atome d'hydrogène, d'un groupe alkyle, d'un groupe alcényle, d'un groupe alcynyle, d'un groupe amino, d'un groupe imino, d'un groupe cyano et d'un groupe isocyano, et comporte 4 atomes de carbone ou moins ; R4 et R5 représentent chacun un groupe alkyle en C1 à C3.
(JA) 本発明は、気相蒸着法により白金薄膜又は白金化合物薄膜を製造するための気相蒸着用原料に関する。この気相蒸着用原料は、次式で示される、2価の白金に、シクロペンテン-アミン配位子とアルキル配位子が配位した有機白金化合物からなるものである。本発明で適用する有機白金化合物は、適度な熱安定性を備え、成膜エリアの広範囲化やハイスループット化等といった厳しい成膜条件にも柔軟に対応できる。 (式中、R、R、Rは、それぞれ、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アミノ基、イミノ基、シアノ基、イソシアノ基のいずれか1種であり、且つ、いずれも炭素数4以下である。R及びRは、それぞれ、炭素数1以上3以下のアルキル基である。)
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)