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1. (WO2019021758) レジスト材料
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国際公開番号: WO/2019/021758 国際出願番号: PCT/JP2018/025164
国際公開日: 31.01.2019 国際出願日: 03.07.2018
IPC:
G03F 7/004 (2006.01) ,C07C 323/16 (2006.01) ,G03F 7/023 (2006.01)
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
04
クロム酸塩
C 化学;冶金
07
有機化学
C
非環式化合物または炭素環式化合物
323
ハロゲン,酸素,窒素原子またはチオ基の一部でない硫黄原子で置換されたチオール,スルフィド,ヒドロポリスルフィドまたはポリスルフィド
10
チオ基と同じ炭素骨格に結合している単結合の酸素原子を含有するもの
11
チオ基の硫黄原子が炭素骨格の非環式炭素原子に結合しているもの
16
炭素骨格が6員芳香環を含有するもの
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
022
キノンジアジド
023
高分子キノンジアジド;高分子添加剤,例.結合剤
出願人:
DIC株式会社 DIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都板橋区坂下三丁目35番58号 35-58, Sakashita 3-chome, Itabashi-ku, Tokyo 1748520, JP
発明者:
今田 知之 IMADA Tomoyuki; JP
山本 辰弥 YAMAMOTO Shinya; JP
宮本 正紀 MIYAMOTO Masanori; JP
代理人:
小川 眞治 OGAWA Shinji; JP
優先権情報:
2017-14546427.07.2017JP
発明の名称: (EN) RESIST MATERIAL
(FR) MATÉRIAU DE PHOTORÉSINE
(JA) レジスト材料
要約:
(EN) With the purpose of the present invention being to provide a resist material having high coating film smoothness and uniformity, and excellent resolution or other patterning performance, a resist material is provided that contains a calixarene compound (A) having the molecular structure represented by structural formula (1), and a resin component (B). (In the formula: R1 is a perfluoroalkyl group or a structure unit having a perfluoroalkyl group; R2 is a hydrogen atom, a polar group, a polymerizable group, or a structure unit having a polar group or a polymerizable group; R3 is any of a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group that may have a substituent group, or an aryl group that may have a substituent group; n is an integer of 2-10; and * is the joining point with an aromatic ring.)
(FR) Le but de la présente invention est de fournir un matériau de photorésine ayant un lissé et une uniformité de film de revêtement élevés, ainsi qu'une résolution ou d'autres performances de formation de motifs qui sont excellentes. L'invention concerne un matériau de photorésine qui contient un composé calixarène (A) ayant la structure moléculaire représentée par la formule structurale (1) et un composant de résine (B). (Dans la formule : R1 est un groupe perfluoroalkyle ou une unité de structure ayant un groupe perfluoroalkyle ; R2 est un atome d'hydrogène, un groupe polaire, un groupe polymérisable, ou une unité de structure ayant un groupe polaire ou un groupe polymérisable ; R3 peut être un atome d'hydrogène, un groupe hydrocarboné aliphatique qui peut avoir un groupe substituant, ou encore un groupe aryle qui peut avoir un groupe substituant ; n est un nombre entier compris entre 2 et 10 inclusivement ; et * est le point de jonction avec un anneau aromatique.)
(JA) 塗膜の平滑性や均質性が高く、解像度等のパターニング性能にも優れるレジスト材料を提供することを目的とし、下記構造式(1) (式中Rはパーフルオロアルキル基又はパーフルオロアルキル基を有する構造部位である。Rは水素原子、極性基、重合性基、極性基又は重合性基を有する構造部位である。Rは水素原子、置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基、置換基を有していてもよいアリール基の何れかである。nは2~10の整数である。*は芳香環との結合点である。) で表される分子構造を有するカリックスアレーン化合物(A)と樹脂成分(B)とを含有するレジスト材料を提供する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)