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1. (WO2019021741) 処理液除電方法、基板処理方法および基板処理システム
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国際公開番号: WO/2019/021741 国際出願番号: PCT/JP2018/024696
国際公開日: 31.01.2019 国際出願日: 28.06.2018
IPC:
H01L 21/027 (2006.01) ,H01L 21/304 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
027
その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループ21/18または21/34に分類されないもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
出願人:
株式会社SCREENホールディングス SCREEN HOLDINGS CO., LTD. [JP/JP]; 京都府京都市上京区堀川通寺之内上る四丁目天神北町1番地の1 1-1, Tenjinkita-machi, Teranouchi-agaru 4-chome, Horikawa-dori, Kamigyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6028585, JP
発明者:
宮路 信行 MIYAJI, Nobuyuki; JP
奥村 剛 OKUMURA, Tsuyoshi; JP
三浦 淳靖 MIURA, Atsuyasu; JP
▲高▼岡 誠 TAKAOKA, Makoto; JP
澤崎 尚樹 SAWAZAKI, Naoki; JP
秋山 剛志 AKIYAMA, Takashi; JP
岸本 卓也 KISHIMOTO, Takuya; JP
辻川 裕貴 TSUJIKAWA, Hiroki; JP
藤田 和宏 FUJITA, Kazuhiro; JP
谷澤 成規 TANIZAWA, Shigeki; JP
代理人:
特許業務法人あい特許事務所 AI ASSOCIATION OF PATENT AND TRADEMARK ATTORNEYS; 大阪府大阪市中央区南本町二丁目6番12号 サンマリオンNBFタワー21階 Sun Mullion NBF Tower, 21st Floor, 6-12, Minamihommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410054, JP
優先権情報:
2017-14689728.07.2017JP
発明の名称: (EN) PROCESSING LIQUID NEUTRALIZING METHOD, SUBSTRATE PROCESSING METHOD, AND SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM
(FR) PROCÉDÉ DE NEUTRALISATION DE LIQUIDE DE TRAITEMENT, PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, ET SYSTÈME DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 処理液除電方法、基板処理方法および基板処理システム
要約:
(EN) A substrate processing method comprises: a processing liquid ejection step of ejecting a processing liquid from a processing liquid nozzle (9) onto a major surface of a substrate (W); and an electrically conductive ejection step of ejecting, when the processing liquid ejection step is not being performed, the processing liquid from an ejection opening (9a) of the processing liquid nozzle (9) onto a grounded electrically conductive portion (51, 18) in the form of a continuous flow, wherein the ejection opening (9a) of the processing liquid nozzle (9) and the electrically conductive portion (51, 18) are liquidly connected by means of the processing liquid, thereby neutralizing the processing liquid in a processing liquid pipe (20) for supplying the processing liquid to the processing liquid nozzle (9).
(FR) Un procédé de traitement de substrat selon l'invention comprend : une étape d'éjection de liquide de traitement consistant à éjecter un liquide de traitement d'une buse de liquide de traitement (9) sur une surface principale d'un substrat (W) ; et une étape d'éjection électriquement conductrice consistant à éjecter, lorsque l'étape d'éjection de liquide de traitement n'est pas effectuée, le liquide de traitement à partir d'une ouverture d'éjection (9a) de la buse de liquide de traitement (9) sur une partie électriquement conductrice mise à la terre (51, 18) sous la forme d'un écoulement continu, l'ouverture d'éjection (9a) de la buse de liquide de traitement (9) et la partie électriquement conductrice (51, 18) étant reliées de manière liquide au moyen du liquide de traitement, neutralisant ainsi le liquide de traitement dans un tuyau de liquide de traitement (20) pour fournir le liquide de traitement à la buse de liquide de traitement (9).
(JA) 基板処理方法は、処理液ノズル(9)からの処理液を基板(W)の主面に向けて吐出する処理液吐出工程と、前記処理液吐出工程の非実行時に、前記処理液ノズル(9)の吐出口(9a)から、アースされている導電部(51、18)に向けて処理液を連続流の態様で吐出する導電吐出工程であって、前記処理液ノズル(9)の吐出口(9a)と前記導電部(51、18)とが処理液を介して液として繋がることにより、前記処理液ノズル(9)に処理液を供給するための処理液配管(20)内の処理液を除電する導電吐出工程を含む。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)