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1. (WO2019021731) 半導体モジュール
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国際公開番号: WO/2019/021731 国際出願番号: PCT/JP2018/024482
国際公開日: 31.01.2019 国際出願日: 28.06.2018
IPC:
H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01) ,H02M 7/48 (2007.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03
すべての装置がグループ27/00~51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04
個別の容器を持たない装置
07
装置がグループ29/00に分類された型からなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
18
装置がグループ27/00~51/00の同じメイングループの2つ以上の異なるサブグループに分類される型からなるもの
H 電気
02
電力の発電,変換,配電
M
交流-交流,交流-直流または直流-直流変換装置,および主要な,または類似の電力供給システムと共に使用するための装置:直流または交流入力-サージ出力変換;そのための制御または調整
7
交流入力一直流出力変換;直流入力―交流出力変換
42
直流入力―交流出力変換であって非可逆的なもの
44
静止型変換器によるもの
48
制御電極をもつ放電管または制御電極をもつ半導体装置を用いるもの
出願人:
株式会社デンソー DENSO CORPORATION [JP/JP]; 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 1-1, Showa-cho, Kariya-city Aichi 4488661, JP
発明者:
荒井 俊介 ARAI Shunsuke; JP
平光 真二 HIRAMITSU Shinji; JP
長瀬 拓生 NAGASE Takuo; JP
代理人:
金 順姫 JIN Shunji; JP
優先権情報:
2017-14578627.07.2017JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR MODULE
(FR) MODULE SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体モジュール
要約:
(EN) A semiconductor module (10), wherein a plurality of switching elements (12, 13, 34) are connected in parallel. First current pathways (25, 26) are formed between a first main terminal (21) and each first main electrode (14b), and second current pathways (27, 28) are formed between a second main terminal (22) and each second main electrode. Where the self inductance of an arbitrary current pathway, which is the second current pathway in an arbitrary switching element, is represented by Lsn, the mutual inductance between the arbitrary current pathway and another current pathway excluding the arbitrary current pathway is represented by Mn, and the sum of Lsn and Mn is represented by Ln, the plurality of switching elements and the current pathways are arranged so that the Ln of each of the switching elements is equal to each other.
(FR) L'invention concerne un module semi-conducteur (10), dans lequel une pluralité d'éléments de commutation (12, 13, 34) sont connectés en parallèle. Des premiers trajets de courant (25,26) sont formés entre une première borne principale (21) et chaque première électrode principale (14b), et des seconds trajets de courant (27 28) sont formés entre une seconde borne principale (22) et chaque seconde électrode principale. Lorsque l'auto-inductance d'un trajet de courant arbitraire, qui est le second trajet de courant dans un élément de commutation arbitraire, est représentée par Lsn, l'inductance mutuelle entre le trajet de courant arbitraire et un autre trajet de courant excluant le trajet de courant arbitraire est représentée par Mn, et la somme de Lsn et de Mn est représentée par Ln, la pluralité d'éléments de commutation et les trajets de courant sont agencés de telle sorte que les Ln de chacun des éléments de commutation sont égaux l'un à l'autre.
(JA) 半導体モジュール(10)において、複数のスイッチング素子(12,13,34)が並列接続されている。第1主電極(14b)のそれぞれと第1主端子(21)との間に第1電流経路(25,26)が形成され、第2主電極のそれぞれと第2主端子(22)との間に第2電流経路(27,28)が形成される。任意のスイッチング素子における第2電流経路である任意電流経路の自己インダクタンスをLsn、任意電流経路を除く他の電流経路と任意電流経路との相互インダクタンスをMn、LsnとMnとの和をLnとすると、各スイッチング素子のLnが互いに等しくなるように、複数のスイッチング素子及び電流経路が配置されている。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)