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1. (WO2019021713) シャワーヘッド及びその製造方法
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国際公開番号: WO/2019/021713 国際出願番号: PCT/JP2018/023937
国際公開日: 31.01.2019 国際出願日: 25.06.2018
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01) ,C23C 16/455 (2006.01) ,C23C 16/505 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065
プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44
被覆の方法に特徴のあるもの
455
ガスを反応室に導入するため,または反応室のガス流を変えるために使われる方法に特徴があるもの
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44
被覆の方法に特徴のあるもの
50
放電を用いるもの
505
高周波放電によるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205
固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
出願人:
住友電気工業株式会社 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市中央区北浜四丁目5番33号 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041, JP
発明者:
木村 功一 KIMURA Koichi; JP
三雲 晃 MIKUMO Akira; JP
代理人:
中田 元己 NAKATA Motomi; JP
森田 剛史 MORITA Takeshi; JP
高城 政浩 TAKAGI Masahiro; JP
緒方 大介 OGATA Daisuke; JP
優先権情報:
2017-14619228.07.2017JP
発明の名称: (EN) SHOWER HEAD AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) POMME DE DOUCHE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) シャワーヘッド及びその製造方法
要約:
(EN) The shower head according to the present invention is provided in a chamber of a semiconductor manufacturing device, said shower head facing a wafer holding body. The shower head is provided with: a disc-like member, which has a disc shape, and which has a plurality of through holes penetrating the disc-like member in the board thickness direction; a conductive body for high frequencies, said conductive body being embedded in the disc-like member; a hole that is provided extending in the thickness direction of the disc-like member such that a part of the conductive body is exposed from a bottom section thereof; an electrode terminal section, which has a base section that is disposed in the hole by being electrically connected to the conductive body, and a columnar section that is provided on the base section; a cylindrical member, which has a first end section that is fitted in the outer side of the columnar section, said first end section facing the conductive body, and a second end section on the opposite side to the first end section, said second end section having an outer diameter that is smaller than that of the first end section, and an inner diameter that is larger than that of the first end section; and a sealing member applied around the first end section.
(FR) La pomme de douche selon la présente invention est disposée dans une chambre d'un dispositif de fabrication de semi-conducteurs, ladite pomme de douche faisant face à un corps de support de tranche. La pomme de douche comprend : un élément de type disque, qui a une forme de disque, et qui a une pluralité de trous traversants pénétrant dans l'élément de type disque dans la direction de l'épaisseur de la carte ; un corps conducteur pour hautes fréquences, ledit corps conducteur étant intégré dans l'élément de type disque ; un trou qui s'étend dans la direction de l'épaisseur de l'élément en forme de disque de telle sorte qu'une partie du corps conducteur est exposée à partir d'une section inférieure de celui-ci ; une section de borne d'électrode, qui a une section de base qui est disposée dans le trou en étant électriquement connectée au corps conducteur, et une section en colonne qui est disposée sur la section de base ; un élément cylindrique, qui a une première section d'extrémité qui est adaptée dans le côté externe de la section en colonne, ladite première section d'extrémité faisant face au corps conducteur, et une seconde section d'extrémité sur le côté opposé à la première section d'extrémité, ladite seconde section d'extrémité ayant un diamètre externe qui est plus petit que celui de la première section d'extrémité, et un diamètre interne qui est plus grand que celui de la première section d'extrémité ; et un élément d'étanchéité appliqué autour de la première section d'extrémité.
(JA) 半導体製造装置のチャンバー内においてウエハ保持体に対向して設けられるシャワーヘッドであって、円板状であり板厚方向に貫通する複数の貫通孔を有する円板状部材と、円板状部材に埋設された高周波用の導電体と、円板状部材の厚み方向に延び底部に導電体の一部が露出するように設けられた穴部と、穴部に配置され導電体と電気的に接続されるベース部とベース部上に設けられた円柱形状部とを有する電極端子部と、円柱形状部の外側に嵌められ導電体に対向する第1端部と第1端部と反対側の第2端部とを有し第2端部の外径が第1端部の外径よりも小さくかつ第2端部の内径が第1端部の内径よりも大きい円筒状部材と、第1端部の周りに充填されている封止部材と、を備える。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)