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1. (WO2019021684) 半導体発光素子
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国際公開番号: WO/2019/021684 国際出願番号: PCT/JP2018/023129
国際公開日: 31.01.2019 国際出願日: 18.06.2018
IPC:
H01L 33/32 (2010.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02
半導体素子本体に特徴のあるもの
26
発光領域の材料
30
III族およびV族元素のみを有するもの
32
窒素を含むもの
出願人:
日機装株式会社 NIKKISO CO., LTD. [JP/JP]; 東京都渋谷区恵比寿4丁目20番3号 20-3, Ebisu 4-chome, Shibuya-ku Tokyo 1506022, JP
発明者:
稲津 哲彦 INAZU Tetsuhiko; JP
ペルノ シリル PERNOT Cyril; JP
代理人:
森下 賢樹 MORISHITA Sakaki; JP
優先権情報:
2017-14559227.07.2017JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体発光素子
要約:
(EN) A semiconductor light-emitting element 10 is provided with: an n-type cladding layer 24 of an n-type aluminum gallium nitride (AlGaN)-based semiconductor material, provided on a substrate 20; an active layer 26 of an AlGaN-based semiconductor material, provided on the n-type cladding layer 24, and configured so as to emit deep ultraviolet light of a wavelength of 300-360 nm; and a p-type semiconductor layer provided on the active layer 26. The n-type cladding layer 24 is configured so that the transmittance of deep ultraviolet light of a wavelength of 300 nm or less becomes 10% or less.
(FR) L'invention concerne un élément électroluminescent à semi-conducteur 10 comprenant : une couche de gainage de type n 24 d'un matériau semi-conducteur à base de nitrure de gallium-aluminium (AlGaN ) de type n, disposée sur un substrat 20; une couche active 26 d'un matériau semi-conducteur à base d'AlGaN, disposée sur la couche de gainage de type n 24, et configurée de façon à émettre une lumière ultraviolette profonde d'une longueur d'onde de 300 à 360 nm; et une couche semi-conductrice de type p disposée sur la couche active 26. La couche de gainage de type n est configurée de telle sorte que la transmittance de la lumière ultraviolette profonde d'une longueur d'onde inférieure ou égale à 300 nm devient inférieure ou égale à 10 %.
(JA) 半導体発光素子10は、基板20上に設けられるn型窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)系半導体材料のn型クラッド層24と、n型クラッド層24上に設けられ、波長300nm以上360nm以下の深紫外光を発するよう構成されるAlGaN系半導体材料の活性層26と、活性層26上に設けられるp型半導体層と、を備える。n型クラッド層24は、波長300nm以下の深紫外光の透過率が10%以下となるように構成される。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)