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1. (WO2019021545) 太陽電池、及び、その製造方法
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国際公開番号: WO/2019/021545 国際出願番号: PCT/JP2018/015220
国際公開日: 31.01.2019 国際出願日: 11.04.2018
IPC:
H01L 31/0216 (2014.01) ,H01L 31/0224 (2006.01) ,H01L 31/068 (2012.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
02
細部
0216
被覆
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
02
細部
0224
電極
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04
変換装置として使用されるもの
06
少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの
068
電位障壁がPNホモ接合型のみからなるもの,例.バルクシリコンPNホモ接合太陽電池または薄膜多結晶シリコンPNホモ接合太陽電池
出願人:
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
発明者:
西村 邦彦 NISHIMURA Kunihiko; JP
綿引 達郎 WATAHIKI Tatsuro; JP
屋敷 保聡 YASHIKI Yasutoshi; JP
森岡 孝之 MORIOKA Takayuki; JP
時岡 秀忠 TOKIOKA Hidetada; JP
代理人:
吉竹 英俊 YOSHITAKE Hidetoshi; JP
有田 貴弘 ARITA Takahiro; JP
優先権情報:
2017-14653428.07.2017JP
発明の名称: (EN) SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) PHOTOPILE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 太陽電池、及び、その製造方法
要約:
(EN) The purpose of the present invention is to provide a technology whereby an open voltage of a solar cell can be increased. A solar cell according to the present invention is provided with a semiconductor layer, first impurity layer, oxygen-containing tunnel layer, second impurity layer, and electrode. The tunnel layer is disposed between the semiconductor layer and the first impurity layer, the second impurity layer is disposed between the semiconductor layer and the tunnel layer, and the electrode is connected to the first impurity layer. The tunnel layer and the first impurity layer contain an impurity that is same as that contained in the second impurity layer, and the impurity concentration of the tunnel layer is higher than the impurity concentrations of the first impurity layer and the second impurity layer.
(FR) La présente invention a pour objet de fournir une technologie permettant d'augmenter la tension à vide d'une photopile. Une photopile selon la présente invention est pourvue d'une couche semi-conductrice, d'une première couche d'impuretés, d'une couche à effet tunnel contenant de l'oxygène, d'une seconde couche d'impuretés et d'une électrode. La couche à effet tunnel est disposée entre la couche semi-conductrice et la première couche d'impuretés, la seconde couche d'impuretés est disposée entre la couche semi-conductrice et la couche à effet tunnel, et l'électrode est connectée à la première couche d'impuretés. La couche à effet tunnel et la première couche d'impuretés contiennent une impureté identique à celle contenue dans la seconde couche d'impuretés, et la concentration en impuretés de la couche à effet tunnel est supérieure aux concentrations en impuretés des première et seconde couches d'impuretés.
(JA) 太陽電池の開放電圧を高めることが可能な技術を提供することを目的とする。太陽電池は、半導体層と、第1不純物層と、酸素を含むトンネル層と、第2不純物層と、電極とを備える。トンネル層は、半導体層と第1不純物層との間に配設され、第2不純物層は、半導体層とトンネル層との間に配設され、電極は、第1不純物層に接続される。トンネル層及び第1不純物層は、第2不純物層の不純物と同じ不純物を含み、トンネル層の不純物の濃度は、第1不純物層及び第2不純物層のそれぞれの不純物の濃度よりも高い。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)