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1. (WO2019017489) 半導体素子の製造装置および半導体素子の製造方法
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国際公開番号: WO/2019/017489 国際出願番号: PCT/JP2018/027360
国際公開日: 24.01.2019 国際出願日: 20.07.2018
IPC:
H01L 21/304 (2006.01) ,C08L 27/12 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01) ,H05F 1/00 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
L
高分子化合物の組成物
27
ただ1つの炭素―炭素二重結合を含有する1個以上の不飽和脂肪族基をもち,その少くとも1つがハロゲンによって停止されている化合物の単独重合体または共重合体の組成物;そのような重合体の誘導体の組成物
02
化学的な後処理によって変性されていないもの
12
ふっ素を含有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
027
その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループ21/18または21/34に分類されないもの
H 電気
05
他に分類されない電気技術
F
静電気;自然に発生する電気
1
静電荷の形成を防止するもの
出願人:
東邦化成株式会社 TOHO KASEI CO., LTD. [JP/JP]; 奈良県大和郡山市今国府町6番2号 6-2, Imago-cho, Yamatokoriyama-shi, Nara 6391031, JP
発明者:
山本 弘和 YAMAMOTO, Hirokazu; JP
伊丹 宏貴 ITAMI, Hirotaka; JP
野口 勇 NOGUCHI, Isamu; JP
塚本 忠和 TSUKAMOTO, Tadakazu; JP
川戸 進 KAWATO, Susumu; JP
代理人:
山尾 憲人 YAMAO, Norihito; JP
森住 憲一 MORIZUMI, Ken-Ichi; JP
優先権情報:
2017-14226621.07.2017JP
2018-02165109.02.2018JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR ELEMENT MANUFACTURING DEVICE AND SEMICONDUCTOR ELEMENT MANUFACTURING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE FABRICATION D'ÉLÉMENT À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENTS À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体素子の製造装置および半導体素子の製造方法
要約:
(EN) The present invention provides a semiconductor element manufacturing device and a semiconductor element manufacturing method that have an efficient static elimination effect, and exhibit excellent cleanliness and chemical resistance. This semiconductor element manufacturing device includes: a stage that is equipped with a chuck pin and/or a wafer pin, and is used for holding a semiconductor wafer; and a nozzle that is used for supplying a washing solution, etching solution, or resist solution. The nozzle is a resin molded body that includes a composite resin material including carbon nanotubes and at least one fluororesin, and/or at least one selected from the chuck pin, the wafer pin, and the stage is a resin molded body that includes a composite resin material including carbon nanotubes and at least one fluororesin.
(FR) La présente invention concerne un dispositif de fabrication d'élément à semi-conducteurs et un procédé de fabrication d'élément à semi-conducteurs qui ont un effet d'élimination statique efficace, et présentent une excellente propreté et une excellente résistance chimique. Ce dispositif de fabrication d'élément à semi-conducteurs comprend : un plateau qui est équipé d'une broche de mandrin et/ou d'une broche de tranche, et qui est utilisé pour maintenir une tranche de semi-conducteur ; et une buse qui est utilisée pour fournir une solution de lavage, une solution de gravure ou une solution de réserve. La buse est un corps moulé en résine qui comprend un matériau de résine composite comprenant des nanotubes de carbone et au moins une résine fluorée, et/ou au moins un élément choisi parmi la broche de mandrin, la broche de tranche, et le plateau étant un corps moulé en résine qui comprend un matériau de résine composite comprenant des nanotubes de carbone et au moins une résine fluorée.
(JA) 本発明は、効率的な静電気除去効果を有し、クリーン性に優れ、耐薬品性に優れる、半導体素子の製造装置および半導体素子の製造方法を提供する。 チャックピン及び/又はウエハピンを備え、半導体ウエハを保持するためのステージ;及び洗浄液、エッチング液又はレジスト液を供給するためのノズルを、有する半導体素子の製造装置であり、ノズルは、少なくとも1種のフッ素樹脂及びカーボンナノチューブを含む複合樹脂材料を含む樹脂成形体であり、;及び/又はチャックピン、ウエハピン及びステージから選択される少なくとも1は、少なくとも1種のフッ素樹脂およびカーボンナノチューブを含む複合樹脂材料を含む樹脂成形体である、半導体素子の製造装置である。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)