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1. (WO2019017407) 基板の研磨方法および研磨用組成物セット
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国際公開番号: WO/2019/017407 国際出願番号: PCT/JP2018/026976
国際公開日: 24.01.2019 国際出願日: 18.07.2018
IPC:
H01L 21/304 (2006.01) ,B24B 37/00 (2012.01) ,C09G 1/02 (2006.01) ,C09K 3/14 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
B 処理操作;運輸
24
研削;研磨
B
研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
37
ラッピング機械または装置;附属装置
C 化学;冶金
09
染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
G
フレンチポリッシュ以外のつや出し組成物;スキーワックス
1
つや出し組成物
02
研摩剤または粉砕剤を含むもの
C 化学;冶金
09
染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
K
他に分類されない応用される物質;他に分類されない物質の応用
3
物質であって,他に分類されないもの
14
抗スリップ物質;研摩物質
出願人:
株式会社フジミインコーポレーテッド FUJIMI INCORPORATED [JP/JP]; 愛知県清須市西枇杷島町地領二丁目1番地1 1-1, Chiryo 2-chome, Nishibiwajima-cho, Kiyosu-shi, Aichi 4528502, JP
発明者:
田畑 誠 TABATA, Makoto; JP
代理人:
安部 誠 ABE, Makoto; JP
優先権情報:
2017-14176221.07.2017JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR POLISHING SUBSTRATE, AND POLISHING COMPOSITION SET
(FR) PROCÉDÉ DE POLISSAGE D'UN SUBSTRAT, ET ENSEMBLE DE COMPOSITION DE POLISSAGE
(JA) 基板の研磨方法および研磨用組成物セット
要約:
(EN) Provided is a method for polishing a substrate, the method being capable of efficiently achieving a surface having high flatness and few defects. This method for polishing a substrate comprises a plurality of pre-polishing steps in which a first polishing liquid, a second polishing liquid, and a third polishing liquid are supplied in this order in a process for pre-polishing the substrate. The content COMP1 of water-soluble polymer P1 in the first polishing liquid, the content COMP2 of water-soluble polymer P2 in the second polishing liquid, and the content COMP3 of water-soluble polymer P3 in the third polishing liquid satisfy the relation of COMP1P2P3, and one among requirements (1) and (2) is satisfied. (1) The average primary particle size DA3 of abrasive grains A3 contained in the third polishing liquid is smaller than the average primary particle size DA1 of abrasive grains A1 contained in the first polishing liquid and the average primary particle size DA2 of abrasive grains A2 contained in the second polishing liquid. (2) The third polishing liquid does not contain abrasive particles A3.
(FR) L'invention concerne un procédé de polissage d'un substrat, le procédé permettant d'obtenir efficacement une surface qui présente une planéité élevée et peu de défauts. Le procédé de polissage d'un substrat selon l'invention comprend une pluralité d'étapes de pré-polissage dans lesquelles un premier liquide de polissage, un deuxième liquide de polissage et un troisième liquide de polissage sont fournis dans cet ordre dans un processus de pré-polissage du substrat. La teneur en COMP1 du polymère soluble dans l'eau P1 dans le premier liquide de polissage, la teneur en COMP 2 du polymère soluble dans l'eau P2 dans le deuxième liquide de polissage et la teneur en COMP 3 du polymère soluble dans l'eau P3 dans le troisième liquide de polissage satisfont la relation COMP1<COMP2<COMP3 et une exigence parmi les exigences (1) et (2) est satisfaite. (1) La taille de particule primaire moyenne DA3 des grains abrasifs A3 contenus dans le troisième liquide de polissage est inférieure à la taille de particule primaire moyenne DA 1 des grains abrasifs A1 contenus dans le premier liquide de polissage et à la taille de particule primaire moyenne DA 2 des grains abrasifs A2 contenu dans le deuxième liquide de polissage. (2) Le troisième liquide de polissage ne contient pas de particules abrasives A3.
(JA) 平坦度が高く欠陥の少ない表面を効率よく実現し得る基板研磨方法を提供する。本発明により提供される基板研磨方法は、基板の予備研磨工程において、第1研磨液と第2研磨液と第3研磨液とをこの順で供給して行われる複数の予備研磨段階を含む。第1研磨液に含まれる水溶性高分子Pの含有量COMP1と、第2研磨液に含まれる水溶性高分子Pの含有量COMP2と、第3研磨液に含まれる水溶性高分子Pの含有量COMP3との関係が、COMP1<COMP2<COMP3を満たし、かつ、(1)第3研磨液に含まれる砥粒Aの平均一次粒子径DA3が、第1研磨液に含まれる砥粒Aの平均一次粒子径DA1および第2研磨液に含まれる砥粒Aの平均一次粒子径DA2よりも小さい;および、(2)第3研磨液は、砥粒Aを含まない;のいずれか一方を満たす。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)