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1. (WO2019017367) 切断加工方法
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国際公開番号: WO/2019/017367 国際出願番号: PCT/JP2018/026851
国際公開日: 24.01.2019 国際出願日: 18.07.2018
IPC:
H01L 21/301 (2006.01) ,B23K 26/53 (2014.01) ,H01L 21/3065 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
301
半導体本体を別個の部品に細分割するため,例.分離する
[IPC code unknown for B23K 26/53]
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065
プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
出願人:
岩谷産業株式会社 IWATANI CORPORATION [JP/JP]; 大阪府大阪市中央区本町3丁目6番4号 6-4, Hommachi 3-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410053, JP
浜松ホトニクス株式会社 HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 静岡県浜松市東区市野町1126番地の1 1126-1, Ichino-cho, Higashi-ku, Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558, JP
発明者:
真鍋 俊樹 MANABE, Toshiki; JP
妹尾 武彦 SENOO, Takehiko; JP
泉 浩一 IZUMI, Koichi; JP
荘所 正 SHOJO, Tadashi; JP
荻原 孝文 OGIWARA, Takafumi; JP
坂本 剛志 SAKAMOTO, Takeshi; JP
代理人:
特許業務法人深見特許事務所 FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; 大阪府大阪市北区中之島三丁目2番4号 中之島フェスティバルタワー・ウエスト Nakanoshima Festival Tower West, 2-4, Nakanoshima 3-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
優先権情報:
2017-14087120.07.2017JP
発明の名称: (EN) CUTTING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE DÉCOUPE
(JA) 切断加工方法
要約:
(EN) This cutting method comprises: a step for forming a modified region on an object (1) to be processed; and, after forming the modified region on the object (1) to be processed, a step for forming a groove (9) in the object (1) to be processed along an intended cut line. In the step for forming a groove (9), a first dry etching process is performed from the front surface (3) of the object (1) to be processed toward the back surface (4). After the first dry etching process, the object (1) to be processed is subjected to a first decompression process wherein the object is placed in an atmosphere having a lower pressure than that during the first dry etching process. After the first decompression process, a second dry etching process is performed from the front surface (3) of the object (1) to be processed toward the back surface (4).
(FR) L'invention concerne un procédé de découpe comprenant : une étape de formation d'une région modifiée sur un objet (1) à traiter; et une étape, après la formation de la région modifiée sur l'objet (1) à traiter, pour former une rainure (9) dans l'objet (1) à traiter le long d'une ligne de découpe prévue. Dans l'étape de formation de la rainure (9), un premier processus de gravure sèche est effectué à partir d'une surface avant (3) de l'objet à traiter vers une surface arrière (4). Après le premier processus de gravure sèche, l'objet (1) à traiter est soumis à un premier processus de décompression dans lequel l'objet est placé dans une atmosphère ayant une pression inférieure à celle pendant le premier processus de gravure sèche. Après le premier processus de décompression, un second processus de gravure sèche est effectué à partir de la surface avant (3) de l'objet (1) à traiter vers la surface arrière (4).
(JA) 切断加工方法は、加工対象物(1)に改質領域を形成する工程と、加工対象物(1)に改質領域を形成した後に、切断予定ラインに沿って加工対象物(1)に溝(9)を形成する工程とを備えている。溝(9)を形成する工程では、加工対象物(1)の表面(3)から裏面(4)に向かって第1のドライエッチング処理が施される。第1のドライエッチング処理の後に、加工対象物(1)が第1のドライエッチング処理時よりも減圧の雰囲気下に置かれる第1の減圧処理が施される。第1の減圧処理の後に、加工対象物(1)の表面(3)から裏面(4)に向かって第2のドライエッチング処理が施される。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)