このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2019017326) 三次元構造体の製造方法、縦型トランジスタの製造方法、縦型トランジスタ用ウェ-ハおよび縦型トランジスタ用基板
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2019/017326 国際出願番号: PCT/JP2018/026702
国際公開日: 24.01.2019 国際出願日: 17.07.2018
IPC:
H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 21/316 (2006.01) ,H01L 29/78 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
336
絶縁ゲートを有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
314
無機物層,
316
酸化物またはガラス性酸化物または酸化物を基礎としたガラスからなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
出願人:
グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 GLOBALWAFERS JAPAN CO., LTD. [JP/JP]; 新潟県北蒲原郡聖籠町東港6-861-5 6-861-5, Seiro-machi Higashiko, Kitakanbara-gun, Niigata 9570197, JP
国立大学法人東北大学 TOHOKU UNIVERSITY [JP/JP]; 宮城県仙台市青葉区片平二丁目1番1号 2-1-1, Katahira, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi 9808577, JP
発明者:
上條 和隆 KAMIJO Kazutaka; JP
福田 悦生 FUKUDA Etsuo; JP
石川 高志 ISHIKAWA Takashi; JP
泉妻 宏冶 IZUNOME Koji; JP
宮下 守也 MIYASHITA Moriya; JP
坂本 多可雄 SAKAMOTO Takao; JP
遠藤 哲郎 ENDOH Tetsuo; JP
代理人:
須田 篤 SUDA Atsushi; JP
楠 修二 KUSUNOKI Shuji; JP
優先権情報:
2017-14007919.07.2017JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PRODUCING THREE-DIMENSIONAL STRUCTURE, METHOD FOR PRODUCING VERTICAL TRANSISTOR, WAFER FOR VERTICAL TRANSISTOR, AND SUBSTRATE FOR VERTICAL TRANSISTOR
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE STRUCTURE TRIDIMENSIONNELLE, PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN TRANSISTOR VERTICAL, TRANCHE POUR TRANSISTOR VERTICAL, ET SUBSTRAT POUR TRANSISTOR VERTICAL
(JA) 三次元構造体の製造方法、縦型トランジスタの製造方法、縦型トランジスタ用ウェ-ハおよび縦型トランジスタ用基板
要約:
(EN) [Problem] To provide a method for producing a three-dimensional structure, a method for producing a vertical transistor, a wafer for a vertical transistor, and a substrate for a vertical transistor, with which it is possible to suppress the release of Si by thermal treatment and make an interface between an oxide film and a core part consisting mainly of Si relatively smooth. [Solution] This three-dimensional structure is produced by: forming a three-dimensional shape by processing, by etching, a surface layer of a monocrystalline silicon substrate, the surface layer of which has an oxygen concentration of 1×1017 atoms/cm3 or greater; and then forming an oxide film on the surface of said three-dimensional shape by performing a thermal treatment. The three-dimensional structure has a shape having projections and recesses in the thickness direction of the silicon substrate, and the height thereof along the thickness direction of the silicon substrate is from 1 nm to 1000 nm, preferably from 1 nm to 100 nm.
(FR) Le problème décrit par la présente invention est de fournir un procédé de production de structures tridimensionnelles, un procédé de production de transistors verticaux, une tranche pour transistors verticaux, et un substrat pour transistors verticaux, avec lequel il est possible de supprimer la libération de Si par traitement thermique et de réaliser une interface entre un film d'oxyde et une partie de cœur composée principalement de Si relativement lisse. La solution selon l'invention porte sur une structure tridimensionnelle qui est produite par : la formation d'une forme tridimensionnelle par traitement, par gravure, d'une couche de surface d'un substrat de silicium monocristallin, dont la couche de surface a une concentration en oxygène de 1×1017 atomes/cm3 ou plus ; puis la formation d’un film d'oxyde sur la surface de ladite forme tridimensionnelle par réalisation d'un traitement thermique. La structure tridimensionnelle a une forme ayant des saillies et des renfoncements dans la direction de l'épaisseur du substrat de silicium, et la hauteur de celle-ci le long de la direction de l'épaisseur du substrat de silicium est de 1 nm à 1000 nm, de préférence de 1 nm à 100 nm.
(JA) 【課題】熱処理によるSiの放出を抑制可能で、Siを主体とする芯部と酸化膜との境界面を比較的滑らかにすることができる三次元構造体の製造方法、縦型トランジスタの製造方法、縦型トランジスタ用ウェ-ハおよび縦型トランジスタ用基板を提供する。 【解決手段】酸素濃度が1×1017 atoms/cm3以上の表層を有する単結晶シリコン基板の表層を、エッチングにより加工して三次元形状を形成した後、熱処理を行ってその三次元形状の表面に酸化膜を形成することにより、三次元構造体を製造する。三次元構造体は、シリコン基板の厚み方向に凹凸を有する形状を成し、シリコン基板の厚み方向に沿った高さが、1nm以上1000nm以下、好ましくは、1nm以上100nm以下である。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)