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1. (WO2019017147) 撮像装置および撮像装置の製造方法
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国際公開番号: WO/2019/017147 国際出願番号: PCT/JP2018/023740
国際公開日: 24.01.2019 国際出願日: 22.06.2018
IPC:
H01L 27/146 (2006.01) ,H01L 21/3205 (2006.01) ,H01L 21/60 (2006.01) ,H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 23/522 (2006.01) ,H04N 5/374 (2011.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14
赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144
輻射線によって制御される装置
146
固体撮像装置構造
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
3205
絶縁層へ非絶縁層,例.導電層または抵抗層,の付着;これらの層の後処理
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
50
サブグループ21/06~21/326の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立
60
動作中の装置にまたは装置から電流を流すためのリードまたは他の導電部材の取り付け
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
71
グループ21/70で限定された装置の特定部品の製造
768
装置内の別個の構成部品間に電流を流すため使用する相互接続を適用するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
52
動作中の装置内の1つの構成部品から他の構成部品へ電流を導く装置
522
半導体本体上に分離できないように形成された導電層及び絶縁層の多層構造からなる外部の相互接続を含むもの
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
30
光または類似信号から電気信号への変換
335
固体撮像素子を用いるもの
369
固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
374
アドレス型センサ,例.MOS型ないしはCMOS型センサ
出願人:
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1 Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
発明者:
井上啓司 INOUE Keishi; JP
神田英一朗 KANDA Eiichiro; JP
代理人:
松尾憲一郎 MATSUO Kenichiro; JP
優先権情報:
2017-13911118.07.2017JP
発明の名称: (EN) IMAGING APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING IMAGING APPARATUS
(FR) APPAREIL DE FORMATION D'IMAGE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'APPAREIL DE FORMATION D'IMAGE
(JA) 撮像装置および撮像装置の製造方法
要約:
(EN) According to the present invention, a bonding pad is disposed near an element surface, and a bonding pad having a desired thickness is formed. This imaging apparatus is provided with: a semiconductor substrate; a wiring part; and a signal transmission part. A photoelectric conversion part that generates an image signal in accordance with applied light is formed on the semiconductor substrate. The wiring part is configured by sequentially laminating, on a surface different from a light reception surface to which the light is applied on the semiconductor substrate, an insulating layer and a wiring layer through which the generated image signal is transmitted. The signal transmission part is formed between the wiring part and a recess formed on a surface different from the light reception surface of the semiconductor substrate, is partially disposed in the recess, and transmits the image signal transmitted by the wiring layer via an opening which is formed toward the recess from the light reception surface of the semiconductor substrate.
(FR) Selon la présente invention, un plot de connexion est disposé à proximité d'une surface d'élément, et un plot de connexion ayant une épaisseur souhaitée est formé. Le présent appareil d'imagerie est pourvu : d'un substrat semi-conducteur ; d'une partie de câblage ; et d'une partie de transmission de signal. Une partie de conversion photoélectrique qui génère un signal d'image conformément à la lumière appliquée est formée sur le substrat semi-conducteur. La partie de câblage est conçue par stratification successive, sur une surface différente d'une surface de réception de lumière à laquelle la lumière est appliquée sur le substrat semi-conducteur, d'une couche isolante et d'une couche de câblage à travers laquelle est transmis le signal d'image généré. La partie de transmission de signal est formée entre la partie de câblage et un évidement formé sur une surface différente de la surface de réception de lumière du substrat semi-conducteur, est partiellement disposée dans l'évidement, et transmet le signal d'image transmis par la couche de câblage par le biais d'une ouverture qui est formée en direction de l'évidement à partir de la surface de réception de lumière du substrat semi-conducteur.
(JA) ボンディングパッドを素子表面近傍に配置するとともに所望の厚みのボンディングパッドを形成する。 撮像装置は、半導体基板、配線部および信号伝達部を具備する。半導体基板は、照射された光に応じた画像信号を生成する光電変換部が形成される。配線部は、半導体基板における光が照射される面である受光面とは異なる面に絶縁層と生成された画像信号を伝達する配線層とが順に積層されて構成される。信号伝達部は、半導体基板の受光面とは異なる面に形成された凹部と配線部との間に形成されるとともに凹部に一部が配置され、配線層により伝達された画像信号を半導体基板の受光面から凹部に向けて形成された開口部を介して伝達する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)