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1. (WO2019017066) 超小型高感度磁気センサ
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国際公開番号: WO/2019/017066 国際出願番号: PCT/JP2018/019705
国際公開日: 24.01.2019 国際出願日: 22.05.2018
IPC:
G01R 33/02 (2006.01) ,H01L 43/00 (2006.01)
G 物理学
01
測定;試験
R
電気的変量の測定;磁気的変量の測定
33
磁気的変量を測定する計器または装置
02
磁界または磁束の方向または大きさの測定
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43
電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
出願人:
朝日インテック株式会社 ASAHI INTECC CO., LTD. [JP/JP]; 愛知県瀬戸市暁町3番地100 3-100 Akatsuki-cho, Seto-shi, Aichi 4890071, JP
発明者:
本蔵 義信 HONKURA Yoshinobu; JP
本蔵 晋平 HONKURA Shinpei; JP
工藤 一恵 KUDO Kazue; JP
田辺 淳一 TANABE Junichi; JP
菊池 永喜 KIKUCHI Eiki; JP
代理人:
高橋 良文 TAKAHASHI Yoshifumi; JP
優先権情報:
2017-14141021.07.2017JP
発明の名称: (EN) ULTRA-SMALL HIGH-SENSITIVITY MAGNETIC SENSOR
(FR) CAPTEUR MAGNÉTIQUE ULTRA-PETIT À HAUTE SENSIBILITÉ
(JA) 超小型高感度磁気センサ
要約:
(EN) In order to provide an ultra-small high-sensitivity magnetic sensor that includes a magnetic field detection element formed integrally with an ASIC, the present invention is configured such that the thickness of a substrate film (10b) formed on the upper surface of an insulating protective film (10a) of an ASIC (4) is set to 1-20 µm, a groove (11) having a depth of 1-10 µm is formed in the substrate film (10b), an element (1) is formed along the groove (11) surface so as to partially or entirely bury a coil, an electrode of the element (1) and an electrode of the ASIC (4) are electrically connected via a through-hole type electrode joining part that penetrates the insulating protective film (10a) and the substrate film (10b), and the thickness of the portion of the element from the surface of the ASIC (4) is set not more than 20 µm.
(FR) La présente invention porte sur la fourniture d'un capteur magnétique ultra-petit à haute sensibilité qui comprend un élément de détection de champ magnétique formé d'un seul tenant avec un ASIC et est configurée de telle sorte que l'épaisseur d'un film de substrat (10b) formé sur la surface supérieure d'un film protecteur isolant (10a) d'un ASIC (4) est établie à 1- 20 µm, une rainure (11) ayant une profondeur de 1-10 µm est formée dans le film de substrat (10b), un élément (1) est formé le long de la surface de rainure (11) de manière à enfouir partiellement ou entièrement une bobine, une électrode de l'élément (1) et une électrode de l'ASIC (4) sont électriquement connectées par l'intermédiaire d'une partie de jonction d'électrode de type trou traversant qui pénètre dans le film protecteur isolant (10a) et le film de substrat (10b), et l'épaisseur de la partie de l'élément à partir de la surface de l'ASIC (4) n'est pas supérieure à 20 µm.
(JA) ASICと一体形成した磁界検出素子からなる超小型高感度磁気センサを提供するため、本発明は、ASIC(4)の絶縁保護被膜(10a)上面に形成する基板皮膜(10b)の厚みを1μm~20μmとし、その基板皮膜上(10b)に深さ1μm~10μmの溝(11)を取り付け、その溝(11)面に沿ってコイルの一部又は全部を埋設するように素子(1)を形成し、素子(1)の電極とASIC(4)の電極とは絶縁保護被膜(10a)及び基板皮膜(10b)を貫通するスルーホール方式の電極接合部を介して電気接続し、ASIC(4)表面からの素子部の厚みを20μm以下とする。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)