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1. (WO2019017044) 発光素子及び発光素子アレイ
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国際公開番号: WO/2019/017044 国際出願番号: PCT/JP2018/017856
国際公開日: 24.01.2019 国際出願日: 09.05.2018
IPC:
H01S 5/183 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
S
誘導放出を用いた装置
5
半導体レーザ
10
光共振器の構造または形状
18
表面放出型レーザ(SEL)
183
垂直共振器を有するもの(VCSEL)
出願人:
ソニー株式会社 SONY CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区港南1丁目7番1号 1-7-1, Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075, JP
発明者:
御友 重吾 MITOMO Jugo; JP
濱口 達史 HAMAGUCHI Tatsushi; JP
中島 博 NAKAJIMA Hiroshi; JP
伊藤 仁道 ITO Masamichi; JP
佐藤 進 SATO Susumu; JP
代理人:
山本 孝久 YAMAMOTO Takahisa; JP
吉井 正明 YOSHII Masaaki; JP
優先権情報:
2017-13924418.07.2017JP
発明の名称: (EN) LIGHT EMITTING DEVICE AND LIGHT EMITTING DEVICE ARRAY
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT ET RÉSEAU DE DISPOSITIFS ÉLECTROLUMINESCENTS
(JA) 発光素子及び発光素子アレイ
要約:
(EN) This light emitting device is provided with: a laminated structure 20 in which a first compound semiconductor layer 21, an active layer 23, and a second compound semiconductor layer 22 are laminated; a first light reflection layer 41 arranged on a first surface side of the first compound semiconductor layer 21; a second light reflection layer 42 arranged on a second surface side of the second compound semiconductor layer 22; and a light convergence/divergence change means 50, wherein the first light reflection layer 41 is formed on a concave mirror portion 43, and the second light reflection layer 42 has a flat shape. When light generated in the active layer 23 is emitted to the outside, the state of convergence/divergence of the light before entering the light convergence/divergence change means 50 is different from the state of convergence/divergence of the light after passing through the light convergence/divergence change means 50.
(FR) L'invention concerne un dispositif électroluminescent comprenant : une structure stratifiée (20) dans laquelle sont stratifiées une première couche composite en semiconducteur (21), une couche active (23) et une deuxième couche composite en semiconducteur (22); une première couche de réflexion de lumière (41) disposée sur un premier côté de surface de la première couche composite en semiconducteur (21); une deuxième couche de réflexion de lumière (42) disposée sur un deuxième côté de surface de la deuxième couche composite en semiconducteur (22); et un moyen de changement de convergence/divergence de lumière (50), la première couche de réflexion de lumière (41) étant formée sur une portion de miroir concave (43) et la deuxième couche de réflexion de lumière (42) ayant une forme plate. Lorsque de la lumière générée dans la couche active (23) est émise vers l'extérieur, l'état de convergence/divergence de la lumière avant de pénétrer dans le moyen de changement de convergence/divergence de lumière (50) est différent de l'état de convergence/divergence de la lumière après avoir traversé le moyen de changement de convergence/divergence de lumière (50).
(JA) 発光素子は、第1化合物半導体層21、活性層23並びに第2化合物半導体層22が積層された積層構造体20、第1化合物半導体層21の第1面側に配設された第1光反射層41、第2化合物半導体層22の第2面側に配設された第2光反射層42、並びに、光収束・発散変更手段50を備えており、第1光反射層41は凹面鏡部43上に形成されており、第2光反射層42は平坦な形状を有しており、活性層23において生成した光が外部に出射されるとき、光収束・発散変更手段50に入射する前の光の収束・発散状態と、光収束・発散変更手段50を通過した後の光の収束・発散状態とは異なる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)