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1. (WO2019017043) 単結晶AlNの製造方法、及び、単結晶AlN
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国際公開番号: WO/2019/017043 国際出願番号: PCT/JP2018/017845
国際公開日: 24.01.2019 国際出願日: 08.05.2018
IPC:
C30B 29/38 (2006.01) ,C23C 14/06 (2006.01) ,C30B 23/00 (2006.01)
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10
無機化合物または組成物
38
窒化物
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
06
被覆材料に特徴のあるもの
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
23
蒸発または昇華した物質の凝固による単結晶成長
出願人:
学校法人関西学院 KWANSEI GAKUIN EDUCATIONAL FOUNDATION [JP/JP]; 兵庫県西宮市上ヶ原一番町1番155号 1-155, Uegahara-Ichiban-cho, Nishinomiya-shi, Hyogo 6628501, JP
発明者:
金子 忠昭 KANEKO, Tadaaki; JP
堂島 大地 DOJIMA, Daichi; JP
芦田 晃嗣 ASHIDA, Koji; JP
代理人:
桂川 直己 KATSURAGAWA, Naoki; JP
優先権情報:
2017-14163421.07.2017JP
発明の名称: (EN) SINGLE-CRYSTAL ALN PRODUCTION METHOD AND SINGLE-CRYSTAL ALN
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D’ALN MONOCRISTALLIN ET ALN MONOCRISTALLIN
(JA) 単結晶AlNの製造方法、及び、単結晶AlN
要約:
(EN) This single-crystal AlN production method performs a process comprising a first growth layer formation step and a second growth layer formation step. In the first growth layer formation step, an AlN-containing first growth layer is formed wherein a void layer which is a void in a shape having a longitudinal direction thereof oriented along the a-axis of the crystal, as a result of preferential crystal growth in the a-axis direction over that in the c-axis direction. In the second growth layer formation step, a second growth layer containing single-crystal AlN that has been grown as a result of preferential crystal growth in the c-axis direction over that in the a-axis direction is formed on the first growth layer, by performing the process of, with respect to the processing conditions for the first growth layer formation step, raising the temperature and/or lowering the partial pressure of a nitrogen-based gas which is a gas at least containing N atoms.
(FR) Ce procédé de production d'AlN monocristallin suit un processus comprenant une première étape de formation de couche de croissance et une seconde étape de formation de couche de croissance. Dans la première étape de formation de couche de croissance, une première couche de croissance contenant de l'AlN est formée, une couche de vide qui est un vide dans une forme ayant une direction longitudinale de celle-ci orientée le long de l'axe a du cristal, suite à une croissance cristalline préférentielle dans la direction de l'axe a par rapport à celle dans la direction de l'axe c. Dans la seconde étape de formation de couche de croissance, une seconde couche de croissance contenant un AlN monocristallin qui a été développé suite à une croissance cristalline préférentielle dans la direction de l'axe c par rapport à celle dans la direction de l'axe a est formée sur la première couche de croissance, en effectuant le processus, par rapport aux conditions de traitement de la première étape de formation de couche de croissance, d’élevation de la température et/ou de diminution de la pression partielle d'un gaz à base d'azote qui est un gaz contenant au moins N atomes.
(JA) 単結晶AlNの製造方法は、第1成長層形成工程と、第2成長層形成工程と、を含む処理を行う。第1成長層形成工程では、結晶のc軸方向の成長よりもa軸方向の成長が優先的に行われることで長手方向がa軸方向に沿う形状の隙間であるボイド層が形成されたAlNを含む第1成長層を形成する。第2成長層形成工程では、第1成長層形成工程の処理条件から、少なくともN原子を含む気体である窒素系ガスの分圧を下げるか、温度を上げるかの少なくとも何れかの処理を行うことで、a軸方向の成長よりもc軸方向の成長が優先的に行われるようにして成長させられた単結晶AlNを含む第2成長層を第1成長層上に形成する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)