このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2019012866) シリコンウェーハの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2019/012866 国際出願番号: PCT/JP2018/021720
国際公開日: 17.01.2019 国際出願日: 06.06.2018
IPC:
H01L 21/304 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
出願人:
株式会社SUMCO SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区芝浦一丁目2番1号 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku Tokyo 1058634, JP
発明者:
高 奉均 KO Bong-Gyun; JP
小野 敏昭 ONO Toshiaki; JP
代理人:
鷲頭 光宏 WASHIZU Mitsuhiro; JP
緒方 和文 OGATA Kazufumi; JP
黒瀬 泰之 KUROSE Yasuyuki; JP
優先権情報:
2017-13491610.07.2017JP
発明の名称: (EN) SILICON WAFER PRODUCTION METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE TRANCHE DE SILICIUM
(JA) シリコンウェーハの製造方法
要約:
(EN) In order to reduce wafer warpage occurring during a device process, in the present invention a target thickness required in order to ensure an amount by which warpage is improved in a silicon wafer is obtained from the relationship between the thickness and the warpage amount of silicon wafers, and a monocrystalline silicon ingot is processed.
(FR) Dans la présente invention, une épaisseur cible requise afin de garantir une quantité permettant d'améliorer un gauchissement dans une tranche de silicium est obtenue à partir de la relation entre l'épaisseur et la quantité de gauchissement de tranches de silicium, et un lingot de silicium monocristallin est traité, de manière à réduire le gauchissement de tranche se produisant pendant un traitement de dispositif.
(JA) デバイス工程中に生じるウェーハの反りを低減するため、シリコンウェーハの反り量と厚みとの関係から、シリコンウェーハの反り改善量を確保するために必要な目標厚みを求め、シリコン単結晶インゴットを加工する。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)