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1. (WO2019012797) 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
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国際公開番号: WO/2019/012797 国際出願番号: PCT/JP2018/018354
国際公開日: 17.01.2019 国際出願日: 11.05.2018
IPC:
H01L 21/316 (2006.01) ,C23C 16/42 (2006.01) ,H01L 21/31 (2006.01) ,H01L 21/318 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
314
無機物層,
316
酸化物またはガラス性酸化物または酸化物を基礎としたガラスからなるもの
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
22
金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの
30
化合物,混合物または固溶体の析出,例.ほう化物,炭化物,窒化物
42
けい化物
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
314
無機物層,
318
窒化物からなるもの
出願人:
株式会社KOKUSAI ELECTRIC KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区神田鍛冶町三丁目4番地 3-4, Kandakaji-cho, Chiyoda-ku, TOKYO 1010045, JP
発明者:
佐野 敦 SANO Atsushi; JP
中谷 公彦 NAKATANI Kimihiko; JP
松岡 樹 MATSUOKA Tatsuru; JP
亀田 賢治 KAMEDA Kenji; JP
島本 聡 SHIMAMOTO Satoshi; JP
代理人:
福岡 昌浩 FUKUOKA Masahiro; JP
阿仁屋 節雄 ANIYA Setuo; JP
優先権情報:
2017-13709913.07.2017JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCTION METHOD, SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, AND PROGRAM
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, ET PROGRAMME
(JA) 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
要約:
(EN) In this invention, a film containing silicon, oxygen, carbon, and nitrogen is formed on a substrate by performing the following cycle of steps a predetermined number of times: the step of forming a first layer containing silicon, carbon, and nitrogen by performing a predetermined number of times a set of steps including the step of supplying a first raw material containing at least two Si-N bonds and at least one Si-C bond within one molecule to a substrate and the step of supplying a second raw material containing nitrogen and hydrogen to the substrate; and the step of forming a second layer by supplying an oxidant to the substrate to oxidize the first layer.
(FR) Selon la présente invention, un film contenant du silicium, de l'oxygène, du carbone et de l'azote est formé sur un substrat en effectuant le cycle suivant d'étapes un nombre prédéterminé de fois : l'étape de formation d'une première couche contenant du silicium, du carbone et de l'azote en effectuant un nombre prédéterminé de fois un ensemble d'étapes comprenant l'étape consistant à fournir une première matière première contenant au moins deux liaisons Si-N et au moins une liaison Si-C à l'intérieur d'une molécule à un substrat et l'étape consistant à fournir une seconde matière première contenant de l'azote et de l'hydrogène au substrat ; et l'étape de formation d'une seconde couche par fourniture d'un oxydant au substrat pour oxyder la première couche.
(JA) 基板に対して1分子中に少なくとも2つのSi-N結合と少なくとも1つのSi-C結合とを含む第1原料を供給する工程と、基板に対して窒素および水素を含む第2原料を供給する工程と、を含むセットを所定回数行うことで、シリコン、炭素および窒素を含む第1層を形成する工程と、基板に対して酸化剤を供給することで、第1層を酸化させて第2層を形成する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことで、基板上に、シリコン、酸素、炭素および窒素を含む膜を形成する。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)