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1. (WO2019012672) 電気接点導通材およびその製造方法
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国際公開番号: WO/2019/012672 国際出願番号: PCT/JP2017/025617
国際公開日: 17.01.2019 国際出願日: 13.07.2017
IPC:
H01G 9/07 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
G
コンデンサ;電解型のコンデンサ,整流器,検波器,開閉装置,感光装置また感温装置
9
電解型コンデンサ,整流器,検波器,開閉装置,感光装置または感温装置;その製造方法
004
細部
07
誘電体層
出願人:
金城 徹 KINJOH Toru [JP/JP]; JP
株式会社京楽産業ホールディングス KYORAKU INDUSTRIAL HOLDINGS CO., LTD. [JP/JP]; 愛知県名古屋市天白区中砂町210番地 210 Nakasuna-cho, Tenpaku-ku, Nagoya-shi, Aichi 4680065, JP
発明者:
金城 徹 KINJOH Toru; JP
代理人:
久米川 正光 KUMEGAWA Masamitsu; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) ELECTRICAL CONTACT CONDUCTING MATERIAL AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
(FR) MATÉRIAU CONDUCTEUR DE CONTACT ÉLECTRIQUE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 電気接点導通材およびその製造方法
要約:
(EN) [Problem] To provide: a novel electrical contact conducting material using crystalline nano-diamond semiconductor particles; and a production method for the electrical contact conducting material. [Solution] An electrical contact conducting material 1 is formed of a plurality of cluster type cells 2 which are independently excited and which each have an electrostatic capacitance. Each of the cluster type cells 2 has a structure formed by bonding, into bunches, a plurality of crystalline nano-diamond semiconductor particles 3 which have spontaneous charges and which are coated with amorphous silicon 3a, i.e., a cluster structure, and has a diameter of 15-30 nm.
(FR) Le problème décrit par la présente invention est de fournir : un nouveau matériau conducteur de contact électrique utilisant des nanoparticules cristallines semi-conductrices en diamant ; et un procédé de production du matériau conducteur de contact électrique. La solution selon l'invention porte sur un matériau conducteur de contact électrique 1 qui est constitué d'une pluralité de cellules de type grappe 2 qui sont excitées indépendamment et qui ont chacune une capacité électrostatique. Chacune des cellules de type grappe 2 présente une structure formée par liaison, en grappes, d'une pluralité de nanoparticules cristallines semi-conductrices en diamant 3 qui ont des charges spontanées et qui sont revêtues de silicium amorphe 3a, à savoir, une structure en grappe, et présente un diamètre situé dans la plage allant de 15 à 30 nm.
(JA) 【課題】結晶系ナノダイヤモンド半導体粒子を用いた新規な電気接点導通材、および、その製造方法を提供する。 【解決手段】電気接点導通材1は、互いに独立して励起し、かつ、静電容量を有する複数のクラスター型セル2よりなる。それぞれのクラスター型セル2は、自発電荷を有し、かつ、アモルファスシリコン3aでコーティングされた複数の結晶系ナノダイヤモンド半導体粒子3が房状に結合した構造、すなわち、クラスター構造を有しており、その直径は15nm以上30nm以下である。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)