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1. (WO2019012370) 撮像装置および電子機器
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国際公開番号: WO/2019/012370 国際出願番号: PCT/IB2018/054915
国際公開日: 17.01.2019 国際出願日: 03.07.2018
IPC:
H04N 5/3745 (2011.01) ,H01L 21/8242 (2006.01) ,H01L 27/108 (2006.01) ,H01L 27/146 (2006.01) ,H04N 5/225 (2006.01)
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
30
光または類似信号から電気信号への変換
335
固体撮像素子を用いるもの
369
固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
374
アドレス型センサ,例.MOS型ないしはCMOS型センサ
3745
1つの画素もしくはセンサマトリクス中の画素グループに接続された付加的構成を有しているもの,例.メモリ,A/D変換器,画素増幅器,共用回路もしくは共用の構成
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
77
1つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78
複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82
それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822
基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232
電界効果技術
8234
MIS技術
8239
メモリ構造
8242
ダイナミックランダムアクセスメモリ構造(DRAM)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
10
複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105
電界効果構成部品を含むもの
108
ダイナミックランダムアクセスメモリ構造
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14
赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144
輻射線によって制御される装置
146
固体撮像装置構造
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
222
スタジオ回路;スタジオ装置;スタジオ機器
225
テレビジョンカメラ
出願人:
株式会社半導体エネルギー研究所 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 神奈川県厚木市長谷398 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 2430036, JP
発明者:
小林英智 KOBAYASHI, Hidetomo; JP
玉造祐樹 TAMATSUKURI, Yuki; JP
楠本直人 KUSUMOTO, Naoto; JP
優先権情報:
2017-13786114.07.2017JP
発明の名称: (EN) IMAGING DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE ET APPAREIL ÉLECTRONIQUE
(JA) 撮像装置および電子機器
要約:
(EN) Provided is an imaging device capable of performing image processing. The present invention comprises: a photoelectric conversion element; a first transistor; a second transistor; and an inverter circuit. One electrode of the photoelectric conversion element is electrically connected to one among the source and the drain of the first transistor, and the other among the source and the drain of the first transistor is electrically connected to one among the source and the drain of the second transistor. The one among the source and the drain of the second transistor is electrically connected to the input terminal of the inverter circuit. The present invention converts data obtained by photoelectric conversion into a binary value and outputs the binary value.
(FR) La présente invention concerne un dispositif d'imagerie pouvant réaliser un traitement d'image. La présente invention comprend : un élément de conversion photoélectrique ; un premier transistor ; un second transistor ; et un circuit inverseur. Une électrode de l'élément de conversion photoélectrique est électriquement connectée à l'un parmi la source et le drain du premier transistor, et l'autre parmi la source et le drain du premier transistor est électriquement connecté à l'un parmi la source et le drain du second transistor. La source et le drain du second transistor sont électriquement connectés à la borne d'entrée du circuit inverseur. La présente invention convertit des données obtenues par conversion photoélectrique en une valeur binaire et délivre la valeur binaire.
(JA) 画像処理を行うことができる撮像装置を提供する。 光電変換素子と、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、インバータ回路と、を有し、光電 変換素子の一方の電極は、第1のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、 第1のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、第2のトランジスタのソースまたはドレイン の一方と電気的に接続され、 第2のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、 インバータ回路 の入力端子と電気的に接続された構成を有し、光電変換によって得られたデータを二値に変換して出 力する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)