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1. (WO2019009872) SELF-ALIGNED BACK-GATE TOP-CONTACT THIN-FILM TRANSISTOR
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国際公開番号: WO/2019/009872 国際出願番号: PCT/US2017/040551
国際公開日: 10.01.2019 国際出願日: 01.07.2017
IPC:
H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 29/40 (2006.01) ,H01L 21/033 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786
薄膜トランジスタ
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
40
電極
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
027
その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループ21/18または21/34に分類されないもの
033
無機物層からなるもの
出願人:
LIN, Kevin [US/US]; US
LE, Van [US/US]; US
SHARMA, Abhishek [US/US]; US
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 94054, US
発明者:
LIN, Kevin; US
LE, Van; US
SHARMA, Abhishek; US
代理人:
BRASK, Justin, K.; US
優先権情報:
発明の名称: (EN) SELF-ALIGNED BACK-GATE TOP-CONTACT THIN-FILM TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR EN COUCHES MINCES AUTO-ALIGNÉ À CONTACT SUPÉRIEUR ET À GRILLE ARRIÈRE
要約:
(EN) Embodiments of the invention include a method of forming a thin-film transistor (TFT) with self-aligned source and drain electrodes. In an embodiment, the method includes forming a TFT stack. Embodiments include forming a first backbone hardmask over the TFT stack, and forming spacers along sidewalls of the first backbone hardmask. In an embodiment the method also includes forming first trenches into the TFT stack, where the first backbone hardmask and the spacers are used as an etch mask to define the trenches, and depositing a interlayer dielectric (ILD) into the trenches and forming a second backbone hardmask over the ILD, where the second backbone hardmask is formed between the spacers, and removing the spacers. In an embodiment the method includes forming second trenches into the material stack, and forming source electrodes and drain electrodes in the trenches.
(FR) Selon des modes de réalisation, la présente invention porte sur un procédé de formation d'un transistor en couches minces (TFT) doté d'électrodes de source et de drain auto-alignées. Dans un mode de réalisation, le procédé consiste à former un empilement de TFT. Des modes de réalisation consistent à former un premier masque dur de squelette sur l'empilement de TFT, et à former des éléments de cloisonnement le long de parois latérales du premier masque dur de squelette. Dans un mode de réalisation, le procédé consiste également à former des premières tranchées dans l'empilement de TFT, le premier masque dur de squelette et les éléments de cloisonnement étant utilisés comme masque de gravure pour délimiter les tranchées, à déposer un diélectrique de couche intermédiaire (ILD) dans les tranchées et à former un second masque dur de squelette sur l'ILD, le second masque dur de squelette étant formé entre les éléments de cloisonnement, et à retirer les éléments de cloisonnement. Dans un mode de réalisation, le procédé consiste à former des secondes tranchées dans l'empilement de matériaux, et à former des électrodes de source et des électrodes de drain dans les tranchées.
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 英語 (EN)
国際出願言語: 英語 (EN)