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1. (WO2019009211) 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク
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国際公開番号: WO/2019/009211 国際出願番号: PCT/JP2018/024889
国際公開日: 10.01.2019 国際出願日: 29.06.2018
IPC:
G03F 1/24 (2012.01)
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
1
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造に用いる原稿,例.マスク,フォトマスク又はレチクル;そのためのマスクブランク又はペリクル;特にそれに適合した容器;その準備
22
100nm以下の波長の放射によって画像化するためのマスク又はマスクブランク,例.X線マスク,極端紫外マスク;その準備
24
反射マスク;その準備
出願人:
凸版印刷株式会社 TOPPAN PRINTING CO.,LTD. [JP/JP]; 東京都台東区台東一丁目5番1号 5-1, Taito 1-chome, Taito-ku, Tokyo 1100016, JP
発明者:
福上 典仁 FUKUGAMI Norihito; JP
古溝 透 KOMIZO Toru; JP
代理人:
廣瀬 一 HIROSE Hajime; JP
宮坂 徹 MIYASAKA Toru; JP
優先権情報:
2017-13202605.07.2017JP
発明の名称: (EN) REFLECTIVE PHOTOMASK BLANK AND REFLECTIVE PHOTOMASK
(FR) ÉBAUCHE DE PHOTOMASQUE RÉFLÉCHISSANT ET PHOTOMASQUE RÉFLÉCHISSANT
(JA) 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク
要約:
(EN) A reflective photomask blank (10) according to one embodiment of the present invention comprises a substrate (1), a reflective layer (2) that is formed on the substrate (1), and a light absorption layer (4) that is formed on the reflective layer (2). The light absorption layer (4) comprises a tin oxide film which has a film thickness of from 25 nm to 45 nm (inclusive), and which has an atomic ratio of oxygen (O) to tin (Sn), namely O/Sn of more than 1.50 but 2.0 or less. Consequently, the projection effect of a reflective photomask for pattern transfer using extreme ultraviolet light as a light source is suppressed or reduced, thereby improving the transfer performance to a semiconductor substrate, while improving the cleaning resistance of the light absorption layer.
(FR) L'invention concerne une ébauche de photomasque réfléchissant (10), qui selon un mode de réalisation de la présente invention comprend un substrat (1), une couche réfléchissante (2) qui est formée sur le substrat (1), et une couche d'absorption de lumière (4) qui est formée sur la couche réfléchissante (2). La couche d'absorption de lumière (4) comprend un film d'oxyde d'étain qui a une épaisseur de film de 25 nm à 45 nm (inclusivement) et qui a un rapport atomique d'oxygène (O) à étain (Sn), à savoir O/Sn, supérieur à 1,50 mais inférieur ou égal à 2,0. Par conséquent, l'effet de projection d'un photomasque réfléchissant dans le transfert de motifs utilisant une lumière ultraviolette extrême comme source de lumière est supprimé ou réduit, ce qui permet d'améliorer les performances de transfert sur un substrat semi-conducteur tout en améliorant la résistance au nettoyage de la couche d'absorption de lumière.
(JA) 第一態様の反射型フォトマスクブランク(10)は、基板(1)と、基板(1)上に形成された反射層(2)と、反射層(2)の上に形成された光吸収層(4)を有する。光吸収層(4)は、錫(Sn)に対する酸素(O)の原子数比(O/Sn)が1.50を超え2.0以下で、膜厚が25nm以上45nm以下の酸化錫膜を含む。これにより、極端紫外線を光源としたパターン転写用の反射型フォトマスクの射影効果が抑制または軽減され、半導体基板への転写性能が向上するとともに、光吸収層の洗浄耐性が向上する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)