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1. (WO2019009182) 単結晶基板、単結晶基板の製造方法および炭化ケイ素基板
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国際公開番号: WO/2019/009182 国際出願番号: PCT/JP2018/024615
国際公開日: 10.01.2019 国際出願日: 28.06.2018
IPC:
C30B 29/36 (2006.01) ,C23C 16/42 (2006.01) ,C30B 25/18 (2006.01) ,C30B 29/04 (2006.01) ,C30B 29/06 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01)
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10
無機化合物または組成物
36
炭化物
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
22
金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの
30
化合物,混合物または固溶体の析出,例.ほう化物,炭化物,窒化物
42
けい化物
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
25
反応ガスの化学反応による単結晶成長,例.化学蒸着(CVD)による成長
02
エピタキシャル層成長
18
基板によって特徴づけられたもの
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
02
元素
04
ダイヤモンド
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
02
元素
06
シリコン
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205
固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
出願人:
セイコーエプソン株式会社 SEIKO EPSON CORPORATION [JP/JP]; 東京都新宿区新宿四丁目1番6号 1-6, Shinjuku 4-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1608801, JP
発明者:
渡邉 幸宗 WATANABE Yukimune; JP
川名 功泰 KAWANA Noriyasu; JP
代理人:
渡辺 和昭 WATANABE Kazuaki; JP
西田 圭介 NISHIDA Keisuke; JP
仲井 智至 NAKAI Satoshi; JP
優先権情報:
2017-13341507.07.2017JP
発明の名称: (EN) SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, METHOD FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, AND SILICON CARBIDE SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT MONOCRISTALLIN, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SUBSTRAT MONOCRISTALLIN ET SUBSTRAT DE CARBURE DE SILICIUM
(JA) 単結晶基板、単結晶基板の製造方法および炭化ケイ素基板
要約:
(EN) The purpose of the present invention is to provide: a single crystal substrate with which a silicon carbide growth layer with less crystal defects can be formed; a method for producing a single crystal substrate capable of efficiently producing the single crystal substrate; and a silicon carbide substrate having a high-quality silicon carbide growth layer. Provided is a single crystal substrate characterized by comprising a ground substrate that includes, inside thereof, a first crystal plane and a second crystal plane facing the first crystal plane, and that has a plurality of grooves extending in a <110> direction, the single crystal substrate being characterized in that the angle formed by the first crystal plane and the second plane is over 70.6°. Further it is preferred that the angle formed by the first crystal plane and the second crystal plane is 100° to 176°.
(FR) La présente invention a pour objet : un substrat monocristallin avec lequel une couche de croissance de carbure de silicium avec moins de défauts cristallins peut être formée ; un procédé de production d'un substrat monocristallin capable de produire efficacement le substrat monocristallin ; et un substrat de carbure de silicium ayant une couche de croissance de carbure de silicium de haute qualité. La présente invention concerne un substrat monocristallin caractérisé en ce qu'il comprend un substrat broyé qui comprend, à l'intérieur de celui-ci, un premier plan cristallin et un second plan cristallin faisant face au premier plan cristallin, et qui a une pluralité de rainures s'étendant dans une direction <110>, le substrat monocristallin étant caractérisé en ce que l'angle formé par le premier plan cristallin et le second plan est supérieur à 70,6°. En outre, il est préféré que l'angle formé par le premier plan cristallin et le second plan cristallin soit de 100° à 176°.
(JA) 結晶欠陥の少ない炭化ケイ素成長層を形成可能な単結晶基板、かかる単結晶基板を効率よく製造可能な単結晶基板の製造方法、および、高品質な炭化ケイ素成長層を有する炭化ケイ素基板を提供すること。 第1結晶面と、前記第1結晶面と対向する第2結晶面と、を内面に含み、延在方向が<110>方向である溝を複数備える下地基板を有し、前記第1結晶面と前記第2結晶面とのなす角度が70.6°超であることを特徴とする単結晶基板。また、前記第1結晶面と前記第2結晶面とのなす角度が100°以上176°以下であることが好ましい。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)