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1. (WO2019009172) 半導体レーザ装置
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国際公開番号: WO/2019/009172 国際出願番号: PCT/JP2018/024535
国際公開日: 10.01.2019 国際出願日: 28.06.2018
IPC:
H01S 5/024 (2006.01) ,H01L 23/36 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
S
誘導放出を用いた装置
5
半導体レーザ
02
レーザ作用にとって本質的ではない構造的な細部または構成
024
冷却装置
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
34
冷却,加熱,換気または温度補償用装置
36
冷却または加熱を容易にするための材料の選択または成形,例.ヒート・シンク
出願人:
パナソニックIPマネジメント株式会社 PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市中央区城見2丁目1番61号 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207, JP
発明者:
大森 弘治 OOMORI Kouji; --
津村 康樹 TSUMURA Kouki; --
笠井 輝明 KASAI Teruaki; --
代理人:
鎌田 健司 KAMATA Kenji; JP
前田 浩夫 MAEDA Hiroo; JP
優先権情報:
2017-13375907.07.2017JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR LASER DEVICE
(FR) DISPOSITIF LASER À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体レーザ装置
要約:
(EN) This semiconductor laser devices provided with a first heat dissipating member (10) inside of which a first flow path (11) and a second flow path (12) circulating a refrigerant are provided independently of each other, a second heat dissipating member (20) which is provided contacting the upper surface of the first heat dissipating member and which includes an insulating member having a third flow path (23) therein that communicates with the first flow path (11), a lower electrode block (60) which is provided on part of the upper surface of the second heat dissipating member, a submount (30) which is configured from a conductive material provided on the remainder of the upper surface of the second heat dissipating member (20), a semiconductor laser element (40) which is arranged on the upper surface of the submount (30), and an upper electrode block (61) which is provided such that the submount (30) and the semiconductor laser element (40) are held between said upper electrode block and the second heat dissipating member (20), wherein the second flow path (12) is provided below the region where the lower electrode block (60) is arranged.
(FR) La présente invention concerne des dispositifs laser à semi-conducteur comprenant : un premier élément de dissipation de chaleur (10) dans lequel un premier trajet d'écoulement (11) et un deuxième trajet d'écoulement (12) faisant circuler un fluide frigorigène sont disposés indépendamment l'un de l'autre; un second élément de dissipation de chaleur (20) disposé en contact avec la surface supérieure du premier élément de dissipation de chaleur et qui comprend un élément isolant comportant intérieurement un troisième trajet d'écoulement (23) communiquant avec le premier trajet d'écoulement (11); un bloc d'électrodes inférieur (60) disposé sur une partie de la surface supérieure du second élément de dissipation de chaleur; une embase (30) constituée d'un matériau conducteur placée sur le restant de la surface supérieure du second élément de dissipation de chaleur (20); un élément laser à semi-conducteur (40) disposé sur la surface supérieure de l'embase (30); et un bloc d'électrodes supérieur (61) disposé de telle sorte que l'embase (30) et l'élément laser à semi-conducteur (40) sont maintenus entre ledit bloc d'électrodes supérieur et le second élément de dissipation de chaleur (20), le deuxième trajet d'écoulement (12) étant disposé au-dessous la région où le bloc d'électrodes inférieur (60) est agencé.
(JA) 冷媒が流れる第1流路(11)と第2流路(12)とが内部に互いに独立して設けられた第1放熱部材(10)と、その上面に接触して設けられ、第1流路(11)に連通する第3流路(23)を内部に有する絶縁部材を含む第2放熱部材(20)と、その上面の一部に設けられた下部電極ブロック(60)と、第2放熱部材(20)の上面の残部に設けられた導電材料からなるサブマウント(30)と、サブマウント(30)の上面に配設された半導体レーザ素子(40)と、第2放熱部材(20)とでサブマウント(30)及び半導体レーザ素子(40)を挟持するように設けられた上部電極ブロック(61)とを備え、第2流路(12)は下部電極ブロック(60)の配設領域の下方に設けられている。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)