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1. (WO2019009152) 薄膜トランジスタおよび高分子化合物
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国際公開番号: WO/2019/009152 国際出願番号: PCT/JP2018/024335
国際公開日: 10.01.2019 国際出願日: 27.06.2018
IPC:
H01L 29/786 (2006.01) ,C08F 212/14 (2006.01) ,C08F 220/22 (2006.01) ,C08F 220/24 (2006.01) ,C08F 220/26 (2006.01) ,C08F 220/36 (2006.01) ,C08G 18/62 (2006.01) ,C08G 18/80 (2006.01) ,H01L 51/05 (2006.01) ,H01L 51/30 (2006.01) ,H01L 51/40 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786
薄膜トランジスタ
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
F
炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応によってえられる高分子化合物
212
ただ1つの炭素―炭素二重結合を含有する1個以上の不飽和脂肪族基をもち,その少なくとも1つが芳香族炭素環によって停止されている化合物の共重合体
02
1個の不飽和脂肪族基をもつ単量体
04
1個の環を含有するもの
14
異種原子または異種原子含有基で置換されたもの
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
F
炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応によってえられる高分子化合物
220
ただ1つの炭素―炭素二重結合を含有する1個以上の不飽和脂肪族基をもち,そのうちのただ1つの脂肪族基がただ1つのカルボキシル基によって停止されている化合物.その塩,無水物,エステル,アミド,イミドまたはそのニトリルの共重合体
02
9個以下の炭素原子をもつモノカルボン酸;その誘導体
10
エステル
22
ハロゲンを含有するエステル
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
F
炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応によってえられる高分子化合物
220
ただ1つの炭素―炭素二重結合を含有する1個以上の不飽和脂肪族基をもち,そのうちのただ1つの脂肪族基がただ1つのカルボキシル基によって停止されている化合物.その塩,無水物,エステル,アミド,イミドまたはそのニトリルの共重合体
02
9個以下の炭素原子をもつモノカルボン酸;その誘導体
10
エステル
22
ハロゲンを含有するエステル
24
パーハロアルキル基を含有するもの
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
F
炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応によってえられる高分子化合物
220
ただ1つの炭素―炭素二重結合を含有する1個以上の不飽和脂肪族基をもち,そのうちのただ1つの脂肪族基がただ1つのカルボキシル基によって停止されている化合物.その塩,無水物,エステル,アミド,イミドまたはそのニトリルの共重合体
02
9個以下の炭素原子をもつモノカルボン酸;その誘導体
10
エステル
26
カルボキシ酸素以外の酸素を含有するエステル
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
F
炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応によってえられる高分子化合物
220
ただ1つの炭素―炭素二重結合を含有する1個以上の不飽和脂肪族基をもち,そのうちのただ1つの脂肪族基がただ1つのカルボキシル基によって停止されている化合物.その塩,無水物,エステル,アミド,イミドまたはそのニトリルの共重合体
02
9個以下の炭素原子をもつモノカルボン酸;その誘導体
10
エステル
34
窒素を含有するエステル
36
カルボキシ酸素以外に酸素を含有するもの
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
G
炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応以外の反応によって得られる高分子化合物
18
イソシアネートまたはイソチオシアネートの重合生成物
06
活性水素を有する化合物との
28
活性水素含有使用化合物に特徴のあるもの
40
高分子量化合物
62
炭素―炭素二重結合を有する化合物の重合体
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
G
炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応以外の反応によって得られる高分子化合物
18
イソシアネートまたはイソチオシアネートの重合生成物
06
活性水素を有する化合物との
70
用いられたイソシアネートまたはイソチオシアネートに特徴のあるもの
72
ポリイソシアネートまたはポリイソチオシアネート
80
封鎖されたポリイソシアネート
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
30
材料の選択
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
40
このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
出願人:
住友化学株式会社 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 東京都中央区新川二丁目27番1号 27-1, Shinkawa 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1048260, JP
発明者:
横井 優季 YOKOI, Yuki; JP
代理人:
中山 亨 NAKAYAMA, Tohru; JP
坂元 徹 SAKAMOTO, Toru; JP
優先権情報:
2017-13092504.07.2017JP
発明の名称: (EN) THIN FILM TRANSISTOR AND POLYMER COMPOUND
(FR) TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET COMPOSÉ POLYMÈRE
(JA) 薄膜トランジスタおよび高分子化合物
要約:
(EN) The present invention addresses the problem of providing: a gate insulating film which exhibits high solvent resistance and gives a thin film transistor having good carrier mobility; a polymer compound that is useful as the gate insulating film; and a composition containing the polymer compound. The present invention provides: a polymer compound containing two or more specific repeating units and a repeating unit represented by formula (1); and a gate insulating film comprising a composition containing the polymer compound. In the polymer compound, the content of repeating units represented by formula (1) is 75 mol% or more if the total content of all repeating units contained in the polymer compound is taken to be 100 mol%, the overall mass of the polymer compound is 80 mass% relative to the entire composition, and the overall mass of compounds having two or more amino groups is 4.5 mass% or less relative to the polymer compound.
(FR) La présente invention aborde le problème consistant à fournir : un film d'isolation de grille qui présente une résistance élevée aux solvants et fournit un transistor à couches minces ayant une bonne mobilité des porteurs; un composé polymère qui est utile en tant que film d'isolation de grille; et une composition contenant le composé polymère. La présente invention concerne : un composé polymère contenant deux ou plusieurs unités de répétition spécifiques et une unité de répétition représentée par la formule (1); et un film d'isolation de grille comprenant une composition contenant le composé polymère. Dans le composé polymère, la teneur en unités répétitives représentées par la formule (1) est d'au minimum 75 % en moles si la teneur totale de toutes les unités répétitives contenues dans le composé polymère est prise à 100 % en moles, la masse globale du composé polymère est de 80 % en masse par rapport à la composition entière, et la masse globale des composés ayant deux ou plusieurs groupes amino est d'au maximum 4,5 % en masse par rapport au composé polymère.
(JA) キャリア移動度が良好な薄膜トランジスタを与え、かつ、耐溶剤性の高いゲート絶縁膜、該ゲート絶縁膜に有用な高分子化合物、または該高分子化合物を含む組成物を提供することを課題とする。 本発明は、特定の2種以上の繰り返し単位と、下記式(1)で表される繰り返し単位とを含む高分子化合物、または該高分子化合物を含む組成物からなるゲート絶縁膜であって、前記高分子化合物に含まれる全ての繰り返し単位の合計含有量を100モル%として、下記式(1)で表される繰り返し単位の含有量が75モル%以上である高分子化合物であり、前記組成物は、前記高分子化合物の総質量が組成物全体に対して80質量%以上であり、アミノ基を2つ以上含む化合物の総質量が、前記高分子化合物に対して4.5質量%以下である、ゲート絶縁膜を提供する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)