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1. (WO2019009101) 導電膜の製造方法、それを用いた電界効果型トランジスタの製造方法および無線通信装置の製造方法
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国際公開番号: WO/2019/009101 国際出願番号: PCT/JP2018/023795
国際公開日: 10.01.2019 国際出願日: 22.06.2018
IPC:
H01B 13/00 (2006.01) ,H01L 21/28 (2006.01) ,H01L 21/288 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 27/11507 (2017.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 51/05 (2006.01) ,H01L 51/30 (2006.01) ,H01Q 1/38 (2006.01) ,H05K 3/10 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
B
ケーブル;導体;絶縁体;導電性,絶縁性または誘導性特性に対する材料の選択
13
導体またはケーブルを製造するために特に使用する装置または方法
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28
21/20~21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28
21/20~21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
283
電極用の導電または絶縁材料の析出
288
液体からの析出,例.電解液からの析出
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
336
絶縁ゲートを有するもの
[IPC code unknown for ERROR IPC Code incorrect: invalid subgroup (0=>999999)!]
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786
薄膜トランジスタ
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
30
材料の選択
H 電気
01
基本的電気素子
Q
空中線
1
空中線の細部または空中線に関連する構成
36
輻射器の構成上の形状,例.コーン,ら旋,傘状
38
絶縁支持体上に導電層によって形成したもの
H 電気
05
他に分類されない電気技術
K
印刷回路;電気装置の箱体または構造的細部,電気部品の組立体の製造
3
印刷回路を製造するための装置または方法
10
導電性物質が希望する導電模様を形成するように絶縁支持部材に施されるもの
出願人:
東レ株式会社 TORAY INDUSTRIES, INC. [JP/JP]; 東京都中央区日本橋室町2丁目1番1号 1-1, Nihonbashi-Muromachi 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1038666, JP
発明者:
河井翔太 KAWAI, Shota; JP
脇田潤史 WAKITA, Junji; JP
村瀬清一郎 MURASE, Seiichiro; JP
優先権情報:
2017-13333307.07.2017JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PRODUCING CONDUCTIVE FILM, METHOD FOR PRODUCING FIELD EFFECT TRANSISTOR USING SAME, AND METHOD FOR PRODUCING WIRELESS COMMUNICATION DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN FILM CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP L'UTILISANT, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN DISPOSITIF DE COMMUNICATION SANS FIL
(JA) 導電膜の製造方法、それを用いた電界効果型トランジスタの製造方法および無線通信装置の製造方法
要約:
(EN) The purpose of the present invention is to provide: a conductive film; a method for producing a conductive film, which enables the achievement of a conductive film or conductive pattern having good electrical conductivity by means of light irradiation of a short period of time without being accompanied by a long-time heat treatment at high temperatures; a method for producing a field effect transistor, which uses this method for producing a conductive film; and a method for producing a wireless communication device. A method for producing a conductive film according to the present invention for the achievement of the above-described purpose comprises: a step for forming a coating film by applying a conductive paste, which contains conductive particles that have surfaces covered by elemental carbon, onto a substrate; and a step for irradiating the coating film with flashing light.
(FR) Le but de la présente invention est de réaliser : un film conducteur; un procédé de production d'un film conducteur, ce qui permet d'obtenir un film conducteur ou un motif conducteur ayant une bonne conductivité électrique par irradiation de lumière d'une courte durée sans que celle-ci soit accompagnée d'un traitement thermique de longue durée à des températures élevées; un procédé de production d'un transistor à effet de champ qui utilise ce procédé pour produire un film conducteur; et un procédé de production d'un dispositif de communication sans fil. Un procédé de production d'un film conducteur selon la présente invention pour la réalisation de l'objectif précité comprend : une étape de formation d'un film de revêtement par application sur un substrat d'une pâte conductrice qui contient des particules conductrices comportant des surfaces recouvertes par du carbone élémentaire; et une étape consistant à irradier le film de revêtement par une lumière intermittente.
(JA) 本発明は、導電膜、及び高温かつ長時間の加熱処理を伴うことなく、短時間の光照射により、導電性の良好な導電膜、または導電パターンを得ることができる導電膜の製造方法、並びにかかる導電膜の製造方法を用いた電界効果型トランジスタの製造方法、および無線通信装置の製造方法を提供することを目的とする。 上記目的を達するための本発明の導電膜の製造方法は、基板上に、炭素単体物で表面被覆された導電性粒子を含有する導電性ペーストを塗布し塗布膜を形成する工程と、前記塗布膜にフラッシュ光を照射する工程と、を含む導電膜の製造方法である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)