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1. (WO2019009086) 半導体レーザ装置
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国際公開番号: WO/2019/009086 国際出願番号: PCT/JP2018/023559
国際公開日: 10.01.2019 国際出願日: 21.06.2018
IPC:
H01S 5/022 (2006.01) ,G11B 7/127 (2012.01) ,H01L 23/40 (2006.01) ,H01S 5/024 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
S
誘導放出を用いた装置
5
半導体レーザ
02
レーザ作用にとって本質的ではない構造的な細部または構成
022
マウント;ハウジング
G 物理学
11
情報記憶
B
記録担体と変換器との間の相対運動に基づいた情報記録
7
光学的手段による記録または再生,例.光ビームの照射による記録,低パワー光ビームを用いる再生;そのための記録担体
12
ヘッド,例.光ビームスポットの形成または光ビームの変調
125
そのための光ビーム源,例.光学記録装置に特別に適合したレーザ制御回路;光変調器,例.光スポットまたは光跡のサイズまたは強度を制御する手段
127
レーザ;複数レーザ配列
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
34
冷却,加熱,換気または温度補償用装置
40
分離できる冷却または加熱装置のための取り付けまたは固着手段
H 電気
01
基本的電気素子
S
誘導放出を用いた装置
5
半導体レーザ
02
レーザ作用にとって本質的ではない構造的な細部または構成
024
冷却装置
出願人:
パナソニックIPマネジメント株式会社 PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市中央区城見2丁目1番61号 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207, JP
発明者:
大森 弘治 OOMORI Kouji; --
笠井 輝明 KASAI Teruaki; --
代理人:
鎌田 健司 KAMATA Kenji; JP
前田 浩夫 MAEDA Hiroo; JP
優先権情報:
2017-13376007.07.2017JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR LASER DEVICE
(FR) DISPOSITIF LASER À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体レーザ装置
要約:
(EN) This semiconductor laser device (1) is provided with: a lower electrode block (10) which has a first terminal hole and has a first and second connection hole on both sides of a recess that houses a submount where a semiconductor laser element is arranged; an upper electrode block (60) which has a third connection hole that communicates with the first connection hole, and a second terminal hole; a heatsink (110) on which the lower electrode block (10) is arranged and which has a fourth connection hole that communicates with the second connection hole; and an optical component (100) which is mounted on the upper electrode block (60). The lower electrode block (10) and the upper electrode block (60) are fastened by first fastening members (90, 90), and the lower electrode block (10) and the heatsink (110) are fastened by second fastening members (91, 91).
(FR) La présente invention concerne un dispositif laser à semi-conducteur qui comprend : un bloc d'électrode inférieur (10) qui comporte un premier trou de borne et comporte un premier et un deuxième trou de connexion sur les deux côtés d'un renfoncement qui loge un sous-ensemble dans lequel un élément laser à semi-conducteur est agencé; un bloc d'électrode supérieur (60) qui comporte un troisième trou de connexion qui communique avec le premier trou de connexion, et un second trou de borne; un dissipateur thermique (110) sur lequel le bloc d'électrode inférieur (10) est agencé et qui comporte un quatrième trou de connexion qui communique avec le deuxième trou de connexion; et un composant optique (100) qui est monté sur le bloc d'électrode supérieur (60). Le bloc d'électrode inférieur (10) et le bloc d'électrode supérieur (60) sont fixés par des premiers éléments de fixation (90, 90), et le bloc d'électrode inférieur (10) et le dissipateur thermique (110) sont fixés par des seconds éléments de fixation (91, 91).
(JA) 半導体レーザ装置(1)は、第1端子孔と、半導体レーザ素子が配設されたサブマウントを収容する凹部の両側に第1及び第2接続孔とを有する下部電極ブロック(10)と、第1接続孔と連通した第3接続孔と、第2端子孔とを有する上部電極ブロック(60)と、下部電極ブロック(10)が配設され、第2接続孔に連通した第4接続孔を有するヒートシンク(110)と、上部電極ブロック(60)に取付けられた光学部品(100)と、を備えている。下部電極ブロック(10)及び上部電極ブロック(60)は第1締結部材(90,90)により締結され、下部電極ブロック(10)とヒートシンク(110)とは第2締結部材(91,91)により締結されている。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)