このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2019009033) 光源装置及び発光装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2019/009033 国際出願番号: PCT/JP2018/022607
国際公開日: 10.01.2019 国際出願日: 13.06.2018
IPC:
H01L 33/50 (2010.01) ,H01L 33/08 (2010.01) ,H01L 33/22 (2010.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
48
半導体素子本体のパッケージに特徴のあるもの
50
波長変換要素
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02
半導体素子本体に特徴のあるもの
08
複数の発光領域を有するもの,例.横方向に不連続な発光層,フォトルミネセント領域が半導体素子本体に集積化されているもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02
半導体素子本体に特徴のあるもの
20
特定の形状を有するもの,例.湾曲または面取りされた基板
22
粗面,凹凸面,例.エピタキシャル層の界面にあるもの
出願人:
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
発明者:
大沼 宏彰 ONUMA, Hiroaki; --
小野 剛史 ONO, Tsuyoshi; --
小野 高志 ONO, Takashi; --
東坂 浩由 HIGASHISAKA, Hiroyoshi; --
幡 俊雄 HATA, Toshio; --
代理人:
特許業務法人HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK; 大阪府大阪市北区天神橋2丁目北2番6号 大和南森町ビル Daiwa Minamimorimachi Building, 2-6, Tenjinbashi 2-chome Kita, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300041, JP
優先権情報:
2017-13068503.07.2017JP
発明の名称: (EN) LIGHT SOURCE DEVICE AND LIGHT EMITTING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE SOURCE DE LUMIÈRE ET DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT
(JA) 光源装置及び発光装置
要約:
(EN) A light source device (1) is provided with: a drive circuit (11); a blue light emitting element (30) formed of a group III nitride semiconductor, said blue light emitting element having a light output surface on the reverse side of the drive circuit, being disposed on the drive circuit, and being electrically connected to the drive circuit; and a color conversion layer (40), which is in contact with the light output surface, and which converts the wavelength of light outputted from the light output surface. The light output surface is formed of a group III nitride semiconductor.
(FR) L'invention concerne un dispositif de source de lumière (1) qui comporte : un circuit d'attaque (11); un élément électroluminescent bleu (30) formé d'un semi-conducteur au nitrure du groupe III, ledit élément électroluminescent bleu ayant une surface d'émission de lumière du côté opposé au circuit d'attaque, étant disposé sur le circuit d'attaque, et étant connecté électriquement au circuit d'attaque; et une couche de conversion de couleur (40), laquelle est en contact avec la surface d'émission de lumière, et qui convertit la longueur d'onde de lumière émise par la surface d'émission de lumière. La surface d'émission de lumière est formée d'un semi-conducteur au nitrure du groupe III.
(JA) 光源装置(1)は、駆動回路(11)と、駆動回路側とは反対側にある光出射面を有し、駆動回路上に配置され、駆動回路と電気的に接続された、III族窒化物半導体からなる青色発光素子(30)と、光出射面と接触し、光出射面から出射される光の波長を変換する色変換層(40)とを備え、光出射面は、III族窒化物半導体からなる。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)