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1. (WO2019009023) 撮像装置
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国際公開番号: WO/2019/009023 国際出願番号: PCT/JP2018/022308
国際公開日: 10.01.2019 国際出願日: 12.06.2018
IPC:
H04N 5/374 (2011.01) ,H01L 27/146 (2006.01) ,H04N 5/359 (2011.01)
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
30
光または類似信号から電気信号への変換
335
固体撮像素子を用いるもの
369
固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
374
アドレス型センサ,例.MOS型ないしはCMOS型センサ
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14
赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144
輻射線によって制御される装置
146
固体撮像装置構造
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
30
光または類似信号から電気信号への変換
335
固体撮像素子を用いるもの
357
ノイズ処理に特徴のあるもの,例.ノイズの検出,補正,低減,除去
359
露光により発生した過剰電荷に対して適用されるもの,例.スメア,ブルーミング,ゴースト画像,画素間の漏洩もしくはクロストーク
出願人:
パナソニックIPマネジメント株式会社 PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市中央区城見2丁目1番61号 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207, JP
発明者:
佐藤 嘉晃 SATOU Yoshiaki; --
山田 翔太 YAMADA Shota; --
村上 雅史 MURAKAMI Masashi; --
廣瀬 裕 HIROSE Yutaka; --
代理人:
鎌田 健司 KAMATA Kenji; JP
前田 浩夫 MAEDA Hiroo; JP
優先権情報:
2017-13187805.07.2017JP
2017-13187905.07.2017JP
2018-10497231.05.2018JP
発明の名称: (EN) IMAGING DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE
(JA) 撮像装置
要約:
(EN) An imaging device which is provided with: a semiconductor substrate which comprises a first impurity region having an n-type conductivity; a photoelectric conversion unit which is electrically connected to the first impurity region and converts light into charges; a capacitive element which has a first terminal and a second terminal, with the first terminal being electrically connected to the first impurity region; and a voltage supply circuit which is electrically connected to the second terminal. The voltage supply circuit supplies a first voltage and a second voltage, which are different from each other, to the second terminal; and the first impurity region stores positive charges among the charges produced in the photoelectric conversion unit.
(FR) La présente invention concerne un dispositif d'imagerie comportant : un substrat semi-conducteur qui comprend une première région d'impureté présentant une conductivité de type n ; une unité de conversion photoélectrique qui est électriquement connectée à la première région d'impureté et qui convertit la lumière en charges ; un élément capacitif qui comporte une première borne et une seconde borne, la première borne étant électriquement connectée à la première région d'impureté ; et un circuit d'alimentation en tension qui est électriquement connecté à la seconde borne. Le circuit d'alimentation en tension fournit une première tension et une seconde tension, qui sont différentes l'une de l'autre, à la seconde borne ; et la première région d'impureté stocke des charges positives parmi les charges produites dans l'unité de conversion photoélectrique.
(JA) n型の導電型の第1不純物領域を有する半導体基板と、前記第1不純物領域に電気的に接続され、光を電荷に変換する光電変換部と、第1端子および第2端子を有し、前記第1端子が前記第1不純物領域に電気的に接続された容量素子と、前記第2端子に電気的に接続された電圧供給回路とを備え、前記電圧供給回路は、互いに異なる第1の電圧および第2の電圧を前記第2端子に供給し、前記第1不純物領域は、前記光電変換部で生じた電荷のうち正電荷を蓄積する、撮像装置。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)