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1. (WO2019008889) 半導体基板加熱用の基板載置台
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国際公開番号: WO/2019/008889 国際出願番号: PCT/JP2018/017685
国際公開日: 10.01.2019 国際出願日: 08.05.2018
IPC:
H01L 21/205 (2006.01) ,C23C 14/50 (2006.01) ,C23C 16/46 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01) ,H01L 21/683 (2006.01) ,H05B 3/10 (2006.01) ,H05B 3/20 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205
固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22
被覆の方法に特徴のあるもの
50
基板保持具
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44
被覆の方法に特徴のあるもの
46
基板を加熱するのに使われる方法に特徴があるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065
プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
67
製造または処理中の半導体または電気的固体装置の取扱いに特に適用される装置;半導体または電気的固体装置もしくは構成部品の製造または処理中のウエハの取扱いに特に適用される装置
683
支持または把持のためのもの
H 電気
05
他に分類されない電気技術
B
電気加熱;他に分類されない電気照明
3
抵抗加熱
10
材料の組成または性質または導体の配置に特徴のある加熱要素(組成それ自体は,関連するサブクラスを参照)
H 電気
05
他に分類されない電気技術
B
電気加熱;他に分類されない電気照明
3
抵抗加熱
20
2次元の平面の表面をもつ発熱素子,例.プレートヒータ
出願人:
住友電気工業株式会社 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市中央区北浜四丁目5番33号 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041, JP
発明者:
新間 健司 SHINMA Kenji; JP
西本 悦弘 NISHIMOTO Yoshihiro; JP
先田 成伸 SAKITA Shigenobu; JP
三雲 晃 MIKUMO Akira; JP
代理人:
中田 元己 NAKATA Motomi; JP
森田 剛史 MORITA Takeshi; JP
高城 政浩 TAKAGI Masahiro; JP
緒方 大介 OGATA Daisuke; JP
優先権情報:
2017-13349607.07.2017JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE MOUNTING STAND FOR HEATING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
(FR) SOCLE DE MONTAGE DE SUBSTRAT SERVANT À CHAUFFER UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体基板加熱用の基板載置台
要約:
(EN) This substrate mounting stand for heating a semiconductor substrate comprises: a ceramic disc-shaped part that has a mounting surface on the upper surface thereof, said mounting surface being configured such that a semiconductor substrate can be mounted thereto; and a plurality of heating circuits that are respectively embedded in the disc-shaped part so as to extend parallel to the mounting surface within a plurality of regions delineated by partitioning the disc-shaped part into concentric circles when viewed from the mounting surface side. Among the plurality of heating circuits, an inner heating circuit is positioned closer to the mounting surface than an outer heating circuit is.
(FR) La présente invention concerne un socle de montage de substrat servant à chauffer un substrat semi-conducteur, comprenant : un élément discoïde en céramique qui présente une surface de montage sur sa surface supérieure, ladite surface de montage étant structurée de telle sorte que le substrat semi-conducteur est monté sur cette dernière ; et une pluralité de circuits de chauffage qui sont respectivement intégrés dans l'élément discoïde en céramique de façon à s'étendre parallèlement à la surface de montage dans plusieurs régions, lesdites régions étant délimitées par division en cercles concentriques de l'élément discoïde en céramique lorsqu'il est vu depuis un côté de surface de montage. Dans la pluralité de circuits de chauffage, un circuit de chauffage intérieur est placé à un emplacement qui est plus proche de la surface de montage qu'un circuit de chauffage extérieur.
(JA) 半導体基板加熱用の基板載置台は、上面に半導体基板を載置するように構成された載置面を有するセラミックス製の円板形状部と、載置面側から見て、同心円状に区分することで画定される複数の領域内に載置面に対して平行に延在するように円板形状部にそれぞれ埋設された複数の発熱回路と、を備える。複数の発熱回路のうち外側の発熱回路よりも内側の発熱回路の方が載置面に近い位置に配置されている。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)