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1. (WO2019008884) 炭化珪素半導体装置
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国際公開番号: WO/2019/008884 国際出願番号: PCT/JP2018/016950
国際公開日: 10.01.2019 国際出願日: 26.04.2018
IPC:
H01L 29/06 (2006.01) ,H01L 29/12 (2006.01) ,H01L 29/78 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
02
半導体本体
06
半導体本体の形状に特徴のあるもの;半導体領域の形状,相対的な大きさまたは配列に特徴のあるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
02
半導体本体
12
構成材料に特徴のあるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
出願人:
住友電気工業株式会社 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市中央区北浜四丁目5番33号 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041, JP
発明者:
日吉 透 HIYOSHI, Toru; JP
内田 光亮 UCHIDA, Kosuke; JP
代理人:
特許業務法人深見特許事務所 FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; 大阪府大阪市北区中之島三丁目2番4号 中之島フェスティバルタワー・ウエスト Nakanoshima Festival Tower West, 2-4, Nakanoshima 3-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
優先権情報:
2017-13133104.07.2017JP
発明の名称: (EN) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS EN CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素半導体装置
要約:
(EN) In this invention, a first silicon carbide layer has a first drift region, a first impurity region, and a second impurity region. A second silicon carbide layer has a second drift region, a third impurity region, and a fourth impurity region. A silicon carbide substrate has either a first structure or a second structure. In the first structure, the first impurity region is in contact with the second impurity region, the third impurity region is separated from the fourth impurity region by the second drift region, and the width of the second impurity region is larger than the width of the fourth impurity region in a direction that is parallel to a first main surface. In the second structure, the first impurity region is separated from the second impurity region by the first drift region, the third impurity region is in contact with the fourth impurity region, and the width of the fourth impurity region is larger than the width of the second impurity region in the direction parallel to the first main surface.
(FR) Dans la présente invention, une première couche de carbure de silicium présente une première région de dérive, une première région d'impureté, et une deuxième région d'impureté. Une seconde couche de carbure de silicium présente une seconde région de dérive, une troisième région d'impureté, et une quatrième région d'impureté. Un substrat de carbure de silicium présente soit une première structure, soit une seconde structure. Dans la première structure, la première région d'impureté est en contact avec la deuxième région d'impureté, la troisième région d'impureté est séparée de la quatrième région d'impureté par la seconde région de dérive, et la largeur de la deuxième région d'impureté est supérieure à la largeur de la quatrième région d'impureté dans une direction qui est parallèle à une première surface principale. Dans la seconde structure, la première région d'impureté est séparée de la deuxième région d'impureté par la première région de dérive, la troisième région d'impureté est en contact avec la quatrième région d'impureté, et la largeur de la quatrième région d'impureté est supérieure à la largeur de la deuxième région d'impureté dans la direction parallèle à la première surface principale.
(JA) 第1炭化珪素層は、第1ドリフト領域と、第1不純物領域と、第2不純物領域とを有している。第2炭化珪素層は、第2ドリフト領域と、第3不純物領域と、第4不純物領域とを有している。炭化珪素基板は、第1構造および第2構造のいずれか一方を有するように構成されている。第1構造は、第1不純物領域は第2不純物領域に接しており、第3不純物領域は第2ドリフト領域によって第4不純物領域から隔てられており、かつ第1主面に平行な方向において第2不純物領域の幅は第4不純物領域の幅よりも大きい構造である。第2構造は、第1不純物領域は第1ドリフト領域によって第2不純物領域から隔てられており、第3不純物領域は第4不純物領域に接しており、かつ第1主面に平行な方向において第4不純物領域の幅は第2不純物領域の幅よりも大きい構造である。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)