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1. (WO2019008808) ステルスダイシング用粘着シートおよび半導体装置の製造方法
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国際公開番号: WO/2019/008808 国際出願番号: PCT/JP2018/003592
国際公開日: 10.01.2019 国際出願日: 02.02.2018
IPC:
H01L 21/301 (2006.01) ,C09J 7/20 (2018.01) ,C09J 201/00 (2006.01) ,H01L 21/67 (2006.01) ,H01L 21/683 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
301
半導体本体を別個の部品に細分割するため,例.分離する
[IPC code unknown for C09J 7/20]
C 化学;冶金
09
染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
J
接着剤;接着方法一般の非機械的観点;他に分類されない接着方法;物質の接着剤としての使用
201
不特定の高分子化合物に基づく接着剤
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
67
製造または処理中の半導体または電気的固体装置の取扱いに特に適用される装置;半導体または電気的固体装置もしくは構成部品の製造または処理中のウエハの取扱いに特に適用される装置
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
67
製造または処理中の半導体または電気的固体装置の取扱いに特に適用される装置;半導体または電気的固体装置もしくは構成部品の製造または処理中のウエハの取扱いに特に適用される装置
683
支持または把持のためのもの
出願人:
リンテック株式会社 LINTEC CORPORATION [JP/JP]; 東京都板橋区本町23番23号 23-23, Honcho, Itabashi-ku, Tokyo 1730001, JP
発明者:
福元 孝斉 FUKUMOTO Kosei; JP
山下 茂之 YAMASHITA Shigeyuki; JP
中村 優智 NAKAMURA Masatomo; JP
代理人:
早川 裕司 HAYAKAWA Yuzi; JP
村雨 圭介 MURASAME Keisuke; JP
飯田 理啓 IIDA Michihiro; JP
優先権情報:
2017-13029903.07.2017JP
発明の名称: (EN) ADHESIVE SHEET FOR STEALTH DICING, AND PRODUCTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) FEUILLE ADHÉSIVE POUR DÉCOUPAGE EN DÉS FURTIFS, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) ステルスダイシング用粘着シートおよび半導体装置の製造方法
要約:
(EN) An adhesive sheet 1 for stealth dicing which is at least used in the cutting and separation of a semiconductor wafer having a modified layer formed in the interior thereof into individual chips in an environment of -20℃ to 10℃, wherein the adhesive sheet 1 for stealth dicing is provided with a substrate 11 and an adhesive layer 12 layered upon one surface side of the substrate 11, and when the adhesive sheet 1 for stealth dicing is adhered to a silicon wafer via the adhesive layer 12, the shearing force at 0℃ at the interface of the adhesive layer 12 and the silicon wafter is in the range of 190 N/(3 mm×20 mm) to 400 N/(3 mm×20 mm). This adhesive sheet 1 for stealth dicing makes it possible to satisfactorily dice a semiconductor wafer into chips using a cool expansion method even in cases in which the chip size to be obtained is small.
(FR) L'invention concerne une feuille adhésive 1 pour découpage en dés furtifs qui est au moins utilisée dans la découpe et la séparation d'une tranche semi-conductrice ayant une couche modifiée formée à l'intérieur de celle-ci en puces individuelles dans un environnement de -20 °C à 10 °C, la feuille adhésive 1 pour découpage en dés furtifs comprenant un substrat 11 et une couche adhésive 12 stratifiée sur un côté de surface du substrat 11, et lorsque la feuille adhésive 1 pour le découpage en dés furtifs est collée à une tranche de silicium par l'intermédiaire de la couche adhésive 12, la force de cisaillement à 0 °C à l'interface de la couche adhésive 12 et de la tranche de silicium est dans la plage de 190 N/ (3 mm x 20 mm) à 400 N/ (3 mm x 20 mm). Cette feuille adhésive 1 pour découpage en dés furtifs permet de découper en dés de manière satisfaisante une tranche semi-conductrice en puces à l'aide d'un procédé d'expansion froide même dans les cas où la taille de puce à obtenir est petite.
(JA) 少なくとも、内部に改質層が形成された半導体ウエハを、-20℃以上、10℃以下の環境下で個々のチップに切断分離するために使用される、ステルスダイシング用粘着シート1であって、基材11と、基材11の一方の面側に積層された粘着剤層12とを備え、粘着剤層12を介してステルスダイシング用粘着シート1をシリコンウエハに貼付した場合における、粘着剤層12と前記シリコンウエハとの界面の0℃でのせん断力が、190N/(3mm×20mm)以上、400N/(3mm×20mm)以下であるステルスダイシング用粘着シート1。かかるステルスダイシング用粘着シート1は、得られるチップサイズが小さい場合であっても、クールエキスパンドによって半導体ウエハをチップに良好に個片化することができる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)