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1. (WO2019008662) リン化インジウム単結晶体およびリン化インジウム単結晶基板
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国際公開番号: WO/2019/008662 国際出願番号: PCT/JP2017/024460
国際公開日: 10.01.2019 国際出願日: 04.07.2017
IPC:
C30B 29/40 (2006.01)
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10
無機化合物または組成物
40
AIIIBV化合物
出願人:
住友電気工業株式会社 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市中央区北浜四丁目5番33号 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041, JP
発明者:
柳澤 拓弥 YANAGISAWA, Takuya; JP
鴻池 一暁 KOUNOIKE, Kazuaki; JP
橋尾 克司 HASHIO, Katsushi; JP
代理人:
特許業務法人深見特許事務所 FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; 大阪府大阪市北区中之島三丁目2番4号 中之島フェスティバルタワー・ウエスト Nakanoshima Festival Tower West, 2-4, Nakanoshima 3-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) INDIUM PHOSPHIDE SINGLE CRYSTAL AND INDIUM PHOSPHIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE
(FR) MONOCRISTAL DE PHOSPHURE D'INDIUM ET SUBSTRAT DE MONOCRISTAL DE PHOSPHURE D'INDIUM
(JA) リン化インジウム単結晶体およびリン化インジウム単結晶基板
要約:
(EN) The indium phosphide single crystal according to the present invention has an oxygen concentration of less than 1×1016 atoms∙cm-3. The indium phosphide single crystal substrate according to the present invention has an oxygen concentration of less than 1×1016 atoms∙cm-3.
(FR) Selon la présente invention, le monocristal de phosphure d'indium présente une concentration en oxygène inférieure à 1 × 10 16 atomes.cm-3. Selon la présente invention, le substrat de monocristal de phosphure d'indium présente une concentration en oxygène inférieure à 1 × 10 16 atomes.cm-3.
(JA) リン化インジウム単結晶体は、酸素濃度が1×1016原子・cm-3未満である。リン化インジウム単結晶基板は、酸素濃度が1×1016原子・cm-3未満である。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)