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1. (WO2019008658) 半導体装置、および、半導体装置の製造方法
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国際公開番号: WO/2019/008658 国際出願番号: PCT/JP2017/024456
国際公開日: 10.01.2019 国際出願日: 04.07.2017
IPC:
H01L 21/338 (2006.01) ,H01L 29/778 (2006.01) ,H01L 29/812 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
338
ショットキーゲートを有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
778
二次元電荷担体ガスチャンネルをもつもの,例.HEMT
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
80
PN接合ゲートまたは他の整流接合ゲートによって生じる電界効果を有するもの
812
ショットキーゲートを有するもの
出願人:
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
発明者:
岡崎 拓行 OKAZAKI Hiroyuki; JP
代理人:
吉竹 英俊 YOSHITAKE Hidetoshi; JP
有田 貴弘 ARITA Takahiro; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCTION METHOD
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置、および、半導体装置の製造方法
要約:
(EN) An objective of the present invention is to provide features related to a semiconductor device with which a reduction in gate leak currents can be achieved without degrading high-frequency characteristics. This semiconductor device comprises a nitride semiconductor layer (6), a first insulation film (1) formed on a portion of the upper surface of the nitride semiconductor layer (6), and a gate electrode (3) formed so as to have at least a portion of its lower surface in contact with an exposed portion of the upper surface of the nitride semiconductor layer (6) uncovered by the first insulation film (1), wherein the first insulation film (1) is formed so as to be in contact with the lateral surface of the gate electrode (3) and the first insulation film (1) contains a transition metal.
(FR) Un objet de la présente invention est de fournir des caractéristiques associées à un dispositif à semi-conducteur avec lequel une réduction des courants de fuite de grille peut être obtenue sans dégrader les caractéristiques à haute fréquence. Ce dispositif à semi-conducteur comprend une couche semi-conductrice de nitrure (6), un premier film isolant (1) formé sur une partie de la surface supérieure de la couche semi-conductrice de nitrure (6), et une électrode de grille (3) formée de manière à avoir au moins une partie de sa surface inférieure en contact avec une partie exposée de la surface supérieure de la couche semi-conductrice de nitrure (6) non couverte par le premier film isolant (1), le premier film isolant (1) étant formé de manière à être en contact avec la surface latérale de l'électrode de grille (3) et le premier film isolant (1) contenant un métal de transition.
(JA) 本願明細書に開示される技術は、高周波特性を劣化させず、ゲートリーク電流を低減することができる半導体装置に関する技術を提供することを目的とするものである。本願明細書に開示される技術に関する半導体装置は、窒化物半導体層(6)と、窒化物半導体層(6)の上面に部分的に形成される第1の絶縁膜(1)と、第1の絶縁膜(1)に覆われずに露出した窒化物半導体層(6)の上面に下面の少なくとも一部が接触して形成されるゲート電極(3)とを備え、第1の絶縁膜(1)は、ゲート電極(3)の側面に接触して形成され、第1の絶縁膜(1)には、遷移金属が混入する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)