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1. (WO2019005542) IMAGE IMPROVEMENT FOR ALIGNMENT THROUGH INCOHERENT ILLUMINATION BLENDING
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国際公開番号: WO/2019/005542 国際出願番号: PCT/US2018/038327
国際公開日: 03.01.2019 国際出願日: 19.06.2018
IPC:
G03F 7/20 (2006.01) ,G03F 9/00 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
20
露光;そのための装置
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
9
原稿,マスク,フレーム,写真シート,表面構造または模様が作成された表面,の位置決めまたは位置合わせ,例.自動的なもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
027
その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループ21/18または21/34に分類されないもの
出願人:
APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054, US
発明者:
COSKUN, Tamer; US
JEONG, Hwan J.; US
代理人:
PATTERSON, B. Todd; US
VERSTEEG, Steven H.; US
優先権情報:
62/525,02126.06.2017US
発明の名称: (EN) IMAGE IMPROVEMENT FOR ALIGNMENT THROUGH INCOHERENT ILLUMINATION BLENDING
(FR) AMÉLIORATION D'IMAGE POUR L'ALIGNEMENT PAR MÉLANGE D'ÉCLAIRAGES INCOHÉRENTS
要約:
(EN) Methods and apparatuses are provided that determine an offset between actual feature/mark locations and the designed feature/mark locations in a maskless lithography system. For example, in one embodiment, a method is provided that includes opening a camera shutter in a maskless lithography system. Light is directed from a configuration of non-adjacent mirrors in a mirror array towards a first substrate layer. An image of the first substrate layer on a camera is captured and accumulated. Light is directed and images are captured repeatedly using different configurations of non-adjacent mirrors to cover an entire field-of-view (FOV) of the camera on the first substrate layer. Thereafter, the camera shutter is closed and the accumulated image is stored in memory.
(FR) L'invention concerne des procédés et des appareils qui déterminent un décalage entre des emplacements de caractéristiques/repères réels et les emplacements de caractéristiques/repères prédéfinis dans un système de lithographie sans masque. Par exemple, un mode de réalisation concerne un procédé qui comprend l'étape consistant à ouvrir l'obturateur d'une caméra dans un système de lithographie sans masque. Une lumière provenant d'une configuration de miroirs non adjacents d'un réseau de miroirs est dirigée sur une première couche de substrat. Une image de la première couche de substrat est capturée et accumulée sur une caméra. La lumière est dirigée et des images sont capturées de manière répétée à l'aide de différentes configurations de miroirs non adjacents afin de couvrir un champ de vision (FOV) complet de la caméra sur la première couche de substrat. L'obturateur de la caméra est ensuite refermé et l'image accumulée est enregistrée en mémoire.
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 英語 (EN)
国際出願言語: 英語 (EN)