このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2019005230) WORDLINE READ VOLTAGE OFFSETS IN SOLID STATE MEMORY DEVICES
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2019/005230 国際出願番号: PCT/US2018/022502
国際公開日: 03.01.2019 国際出願日: 14.03.2018
IPC:
G11C 11/56 (2006.01) ,G06N 3/02 (2006.01) ,G11C 16/26 (2006.01) ,G11C 29/02 (2006.01) ,G06F 3/06 (2006.01) ,G11C 16/04 (2006.01) ,G11C 29/50 (2006.01)
G 物理学
11
情報記憶
C
静的記憶
11
特定の電気的または磁気的記憶素子の使用によって特徴づけられたデジタル記憶装置;そのための記憶素子
56
ステップによって表わされる3以上の安定状態を有する記憶素子を用いるもの,例.電圧によるもの,電流によるもの,位相によるもの,周波数によるもの
G 物理学
06
計算;計数
N
特定の計算モデルに基づくコンピュータ・システム
3
生物学的モデルに基づくコンピュータ・システム
02
ニューラル・ネットワーク・モデルを用いるもの
G 物理学
11
情報記憶
C
静的記憶
16
消去可能でプログラム可能なリードオンリメモリ
02
電気的にプログラム可能なもの
06
周辺回路,例.メモリへの書込み用
26
センス回路または読出し回路;データ出力回路
G 物理学
11
情報記憶
C
静的記憶
29
正確な動作のための記憶装置のチェック;スタンバイまたはオフライン動作中の記憶装置のテスト
02
故障した周辺回路の検出またはその位置の特定
G 物理学
06
計算;計数
F
電気的デジタルデータ処理
3
計算機で処理しうる形式にデータを変換するための入力装置;処理ユニットから出力ユニットへデータを転送するための出力装置,例.インタフェース装置
06
記録担体からのデジタル入力または記録担体へのデジタル出力
G 物理学
11
情報記憶
C
静的記憶
16
消去可能でプログラム可能なリードオンリメモリ
02
電気的にプログラム可能なもの
04
閾値が可変なトランジスタを用いるもの,例.FAMOS
G 物理学
11
情報記憶
C
静的記憶
29
正確な動作のための記憶装置のチェック;スタンバイまたはオフライン動作中の記憶装置のテスト
04
故障したメモリ素子の検出またはその位置の特定
50
マージン試験,例.タイミング,電圧,または電流試験
出願人:
WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 5601 Great Oaks Parkway San Jose, CA 95119, US
発明者:
KIRSHENBAUM, Roi; US
INBAR, Karin; US
GOLDENBERG, Idan; US
YANG, Nian, Niles; US
ROM, Rami; US
BAZARSKY, Alexander; US
NAVON, Ariel; US
REUSSWIG, Philip, David; US
代理人:
ALTMAN, Daniel, E.; US
優先権情報:
15/640,35630.06.2017US
発明の名称: (EN) WORDLINE READ VOLTAGE OFFSETS IN SOLID STATE MEMORY DEVICES
(FR) DÉCALAGES DE TENSION DE LECTURE DE LIGNE DE MOTS DANS DES DISPOSITIFS DE MÉMOIRE À SEMI-CONDUCTEURS
要約:
(EN) Systems and methods are described for generating location-based read voltage offsets in a data storage device. Optimal read voltage thresholds vary across memory elements of a device. However, data storage devices are often limited in the number of read voltage thresholds that can be maintained in the device. Thus, it may not be possible to maintain optimal read voltage parameters for each memory element within a device. The systems and methods described herein provide for increased accuracy of read voltage thresholds when applied to memory elements within a specific location in a device, by enabling the use of location-based read voltage offsets, depending on a relative location of the memory element being read from. The read voltage offsets can be determined based on application of a neural network to data regarding optimal read voltage thresholds determined from at least a sample of memory elements in a device.
(FR) L'invention concerne des systèmes et des procédés permettant de générer un décalage de tension de lecture basé sur l'emplacement dans un dispositif de stockage de données. Des seuils optimaux de tension de lecture varient à travers les éléments de mémoire d'un dispositif. Cependant, les dispositifs de stockage de données sont souvent limités dans le nombre de seuils de tension de lecture qui peuvent être conservés dans le dispositif. Ainsi, il n'est pas possible de maintenir des paramètres de tension de lecture optimaux pour chaque élément de mémoire à l'intérieur d'un dispositif. Les systèmes et les procédés décrits ici fournissent une précision accrue de seuils de tension de lecture lorsqu'ils sont appliqués à des éléments de mémoire à l'intérieur d'un emplacement spécifique dans un dispositif, en permettant l'utilisation de décalages de tension de lecture basés sur l'emplacement, en fonction d'un emplacement relatif de l'élément de mémoire en cours de lecture à partir de. Les décalages de tension de lecture peuvent être déterminés sur la base de l'application d'un réseau neuronal à des données concernant des seuils de tension de lecture optimaux déterminés à partir d'au moins un échantillon d'éléments de mémoire dans un dispositif.
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 英語 (EN)
国際出願言語: 英語 (EN)