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1. (WO2019004205) 弾性波装置
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国際公開番号: WO/2019/004205 国際出願番号: PCT/JP2018/024180
国際公開日: 03.01.2019 国際出願日: 26.06.2018
IPC:
H03H 9/25 (2006.01)
H 電気
03
基本電子回路
H
インビーダンス回路網,例.共振回路;共振器
9
電気機械的または電気音響的素子を含む回路網;電気機械的共振器
25
弾性表面波を使用する共振器の構造上の特徴
出願人:
株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 京都府長岡京市東神足1丁目10番1号 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555, JP
発明者:
岡田 真一 OKADA, Shinichi; JP
代理人:
特許業務法人 宮▲崎▼・目次特許事務所 MIYAZAKI & METSUGI; 大阪府大阪市中央区常盤町1丁目3番8号 中央大通FNビル Chuo Odori FN Bldg., 3-8, Tokiwamachi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400028, JP
優先権情報:
2017-12872630.06.2017JP
発明の名称: (EN) ACOUSTIC WAVE DEVICE
(FR) DISPOSITIF À ONDE ACOUSTIQUE
(JA) 弾性波装置
要約:
(EN) Provided is an acoustic wave device with which the capacitance between a support substrate and a piezoelectric film can be suppressed and degradation of characteristics can be suppressed, and which, when connected to another electronic component, is not liable to cause an operating failure in the electronic component. An acoustic wave device 1 is provided with: a stacked body 8 which includes a support substrate 5 and a piezoelectric film 7 provided on the support substrate 5; an antenna terminal provided on the support substrate 5; a ground terminal 4A provided on the support substrate 5; a signal terminal 3 provided on the support substrate 5; an IDT electrode provided on the piezoelectric film 7; and a first insulating film 9A provided between the support substrate 5 and the signal terminal 3. The stacked body 8 includes one of a layer made of a high sonic speed material in which the sonic speed of a bulk wave propagating therein is higher than the sonic speed of an acoustic wave propagating in the piezoelectric film 7, or an acoustic reflection layer which includes a low acoustic impedance layer having a relatively low acoustic impedance and a high acoustic impedance layer having a relatively high acoustic impedance.
(FR) L'invention concerne un dispositif à ondes acoustiques, lequel permet de supprimer la capacité entre un substrat support et un film piézoélectrique et de supprimer la dégradation des caractéristiques, et lequel, lorsqu'il est connecté à un autre composant électronique, n'est pas susceptible de provoquer une défaillance de fonctionnement dans le composant électronique. Un dispositif à ondes acoustiques (1) comporte : un corps empilé (8), lequel comprend un substrat support (5) et un film piézoélectrique (7) disposé sur le substrat support (5) ; une borne d'antenne, disposée sur le substrat support (5) ; une borne de mise à la terre (4A), disposée sur le substrat support (5) ; une borne de signal (3), disposée sur le substrat support ; une électrode IDT, disposée sur le film piézoélectrique (7) ; et un premier film d'isolation (9A), disposé entre le substrat support et la borne de signal. Le corps empilé (8) comprend : une couche constituée d'un matériau à vitesse sonique élevée, la vitesse sonique d'une onde massive se propageant à l'intérieur de ladite couche étant supérieure à la vitesse sonique d'une onde acoustique se propageant dans le film piézoélectrique (7) ; ou une couche de réflexion acoustique, laquelle est constituée d'une couche à impédance acoustique faible, présentant une impédance acoustique relativement faible et d'une couche à impédance acoustique élevée, présentant une impédance acoustique relativement élevée.
(JA) 支持基板と圧電膜との間の静電容量を抑制することができ、特性の劣化を抑制することができ、かつ他の電子部品に接続された場合に該電子部品の動作不良が生じ難い、弾性波装置を提供する。 弾性波装置1は、支持基板5と、支持基板5上に設けられている圧電膜7とを有する積層体8と、支持基板5上に設けられているアンテナ端子と、支持基板5上に設けられているグラウンド端子4Aと、支持基板5上に設けられている信号端子3と、圧電膜7上に設けられているIDT電極と、支持基板5と信号端子3との間に設けられた第1の絶縁膜9Aとを備える。積層体8が、圧電膜7を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高い高音速材料からなる層と、相対的に音響インピーダンスが低い、低音響インピーダンス層及び相対的に音響インピーダンスが高い、高音響インピーダンス層を有する音響反射層とのうちの一方を有する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)